[發明專利]一種基于邊緣場開關技術的薄膜晶體管液晶顯示器

無效

• 申請號: 201210282736.3
• 申請日: 2012-08-09
• 公開（公告）號: CN102799034A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 蔡五柳;張哲嘉;林志宏;陳茂松
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/133
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 曾紅

技術領域

本發明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器，尤其涉及一種基于邊緣場開關技術的薄膜晶體管液晶顯示器。

背景技術

當前，FFS（Fringe?Field?Switching，邊緣場開關）技術是TFT-LCD（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，薄膜晶體管液晶顯示器）技術的一種，亦是液晶顯示領域為解決大尺寸、高清晰度的桌面顯示器和液晶電視等應用所開發的廣視角技術，即，硬屏技術之一。具體地，FFS技術通過同一平面內的像素間電極產生邊緣電場，使電極之間的配向液晶分子以及電極正上方的配向液晶分子都能在平面方向（諸如平行于基板）發生旋轉，進而提高液晶層的透光效率。

然而，隨著高分辨率及高像素密度的像素設計要求，像素開口率的提升面臨制程能力及合格率的挑戰。如果穿透率無法提升，就需要更亮的背光亮度來達到預定的產品規格，但是這將影響圖像質量，增加背光模組的成本。此外，如果增加背光的亮度，背光模組的能耗將進一步加劇，并且組件出現漏光的幾率將會增加，導致像素質量和穿透率下降。

有鑒于此，如何設計一種新穎的TFT-LCD液晶顯示器，在相同的制程平臺下，使其具有低色偏和廣視角的特性，而且還可有效地提升液晶的穿透效率，是業內相關技術人員亟待解決的一項課題。

發明內容

針對現有技術中的基于邊緣場開關技術的薄膜晶體管液晶顯示器使用時所存在的上述缺陷，本發明提供了一種新穎的薄膜晶體管液晶顯示器。

依據本發明的一個方面，提供了一種基于邊緣場開關技術的薄膜晶體管液晶顯示器，該薄膜晶體管液晶顯示器包括：

一彩色濾光片基板；以及

一陣列基板，與所述彩色濾光片基板相對設置，所述陣列基板中的每一子像素包括：

一絕緣層；

一第一電極，位于所述絕緣層的上方，所述第一電極具有一第一電壓；

一第二電極，位于所述絕緣層的上方，所述第二電極與所述第一電極交錯設置，且具有一第二電壓；以及

一共通電極，位于所述絕緣層的下方，所述共通電極具有一第三電壓，

其中，所述第一電壓的極性不同于所述第二電壓的極性，以便在所述子像素中形成三電極的邊緣電場。

在其中的一實施例中，薄膜晶體管液晶顯示器適用于非晶硅制程、氧化電晶體制程或低溫多晶硅制程。

在其中的一實施例中，第一電壓相對于第三電壓為正極性，第二電壓相對于第三電壓為負極性。進一步，第一電壓、第二電壓和第三電壓依次為7.5V、2.5V和5V。又如，第一電壓、第二電壓和第三電壓依次為6.5V、3.5V和5V。

在其中的一實施例中，第一電壓相對于第三電壓為正極性，第二電壓相對于第三電壓為零極性。進一步，第一電壓、第二電壓和第三電壓依次為10V、5V和5V。

在其中的一實施例中，共通電極為一透明電極，并且該透明電極由銦錫氧化物（Indium?tin?oxide，ITO）或銦鋅氧化物（Indium?zinc?oxide，IZO）材料制成。

在其中的一實施例中，共通電極為一非透明電極，并且該非透明電極由一高反射率的金屬材料制成。

采用本發明的基于邊緣場開關技術的薄膜晶體管液晶顯示器，將具有一第一電壓的第一電極與具有一第二電壓的第二電極交錯設置于絕緣層的上方，將共通電極設置于該絕緣層的下方，藉由第一電壓的極性不同于第二電壓的極性，在子像素中形成三電極的邊緣電場，以增加水平方向的電力線，進而使得更多的配向液晶分子參與旋轉轉換，以提升液晶的穿透效率。此外，本發明的薄膜晶體管液晶顯示器還可降低液晶應答時間，增強指壓恢復能力。

附圖說明

讀者在參照附圖閱讀了本發明的具體實施方式以后，將會更清楚地了解本發明的各個方面。其中，

圖1示出現有技術中的基于邊緣場開關技術的薄膜晶體管液晶顯示器的結構框圖；

圖2示出依據本發明的一實施方式，基于邊緣場開關技術的薄膜晶體管液晶顯示器的結構框圖；

圖3A示出圖2的薄膜晶體管液晶顯示器的第一實施例的結構框圖；

圖3B示出圖2的薄膜晶體管液晶顯示器的第二實施例的結構框圖；以及

圖3C示出圖2的薄膜晶體管液晶顯示器的第三實施例的結構框圖。

具體實施方式