[發明專利]一種以鍺為隧穿結的硅基三結太陽能電池

有效

• 申請號: 201210282587.0
• 申請日: 2012-08-09
• 公開（公告）號: CN102779865A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 陳松巖;李欣;劉蕊;劉晶晶;孫欽欽
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0687
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所 35200
• 代理人: 馬應森

1.一種以鍺為隧穿結的硅基三結太陽能電池，其特征在于設有Si底電池、Ge隧穿結、GaAs中間電池、AlGaAs/InGaP隧穿結、InGaP頂電池和接觸層，所述Si底電池構建在P型Si襯底上，Ge隧穿結連接Si底電池與GaAs中間電池，AlGaAs/InGaP隧穿結連接GaAs中間電池與InGaP頂電池，接觸層設于InGaP頂電池上。

2.如權利要求1所述的一種以鍺為隧穿結的硅基三結太陽能電池，其特征在于所述P型Si襯底的厚度為100~600μm，摻雜濃度為1×10¹⁵～5×10¹⁷cm^-3。

3.如權利要求1所述的一種以鍺為隧穿結的硅基三結太陽能電池，其特征在于所述Si底電池的發射區厚度為0.05～1μm，摻雜濃度為1×10¹⁸~5×10¹⁹cm^-3。

4.如權利要求1所述的一種以鍺為隧穿結的硅基三結太陽能電池，其特征在于所述InGaP頂電池自下而上包括：背電場層、InGaP基區、InGaP發射區以及窗口層。

5.如權利要求1或4所述的一種以鍺為隧穿結的硅基三結太陽能電池，其特征在于所述InGaP頂電池的禁帶寬度大于1.85eV。

6.如權利要求1所述的一種以鍺為隧穿結的硅基三結太陽能電池，其特征在于所述GaAs中間電池自下而上包括：背電場層、GaAs基區、GaAs發射區以及窗口層。

7.如權利要求1所述的一種以鍺為隧穿結的硅基三結太陽能電池，其特征在于連接InGaP頂電池和GaAs中間電池的隧穿結，采用GaAs、InGaP、Al_0.3Ga_0.7As或其他半導體材料，摻雜濃度高達1×10¹⁹~5×10²⁰cm^-3以上。