[發明專利]反射光刻掩模和系統及方法有效
| 申請號： | 201210281319.7 | 申請日： | 2012-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN103309168A | 公開（公告）日： | 2013-09-18 |
| 發明（設計）人： | 劉鍵炫;王仁磐 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F1/24;G03F1/26 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孫征 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反射 光刻 系統 方法 | ||
1.一種系統，包括：
第一輻射源；以及
第一光刻掩模，包括第一非平坦反射面，所述第一光刻掩模被配置成通過所述第一非平坦反射面將來自所述輻射源的輻射以第一輻射圖案反射至襯底。
2.根據權利要求1所述的系統，其中，所述第一非平坦反射面具有單個焦點。
3.根據權利要求1所述的系統，其中，所述第一非平坦反射面是凹面。
4.根據權利要求1所述的系統，其中，所述第一光刻掩模包括對應于所述第一輻射圖案的中間掩模圖案。
5.一種光刻掩模，包括：
透明襯底，包括彎曲表面；
反射材料，鄰接所述透明襯底的彎曲表面，位于所述反射材料和所述透明襯底之間的界面是反射面；以及
中間掩模圖案，位于所述透明襯底的第二表面上，所述中間掩模圖案的反射率小于所述反射材料的反射率。
6.根據權利要求5所述的光刻掩模，其中，所述反射面具有單個焦點。
7.根據權利要求5所述的光刻掩模，其中，所述反射面是凹面。
8.一種用于光刻的方法，所述方法包括：
從第一輻射源發射第一輻射；
利用第一光刻掩模反射所述第一輻射的第一圖案，所述第一光刻掩模包括具有單個焦點的第一彎曲反射面并且包括第一中間掩模圖案；以及
將所述第一輻射的所述第一圖案投射至襯底的區域。
9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一光刻掩模還包括：
具有凸面的透明襯底，所述第一中間掩模圖案位于所述透明襯底的第二表面上，所述中間掩模圖案對應于所述第一輻射的所述第一圖案；以及
反射材料，位于所述透明襯底的凸面上，位于所述透明襯底的凸面和所述反射材料之間的界面是所述第一彎曲反射面，所述第一彎曲反射面反射所述第一輻射的所述第一圖案。
10.根據權利要求8所述的方法，還包括利用第二光刻掩模將所述第一輻射的至少一部分反射至所述第一光刻掩模。
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