[發明專利]一種刻蝕后去膠的溶液和方法

無效

• 申請號: 201210280932.7
• 申請日: 2012-08-08
• 公開（公告）號: CN102854761A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 宋超;劉榕;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

技術領域

本發明涉及半導體發光器件制造技術領域，特別涉及一種刻蝕后去膠的溶液和方法。?

背景技術

刻蝕是半導體發光器制造工藝中的一個相當重要的步驟。所謂刻蝕，實際上就是將涂光刻膠前沉積的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋的部分給去除掉。然而，光刻膠在刻蝕后的去除成為比較大的難題，原因在于光刻膠在經過刻蝕后變得比較堅硬，使得普通的去膠液難以保證將其完全除凈，若采用干法去膠則會對晶片表面的氧化銦錫薄膜產生損傷，因此最好采用全濕法來去除光刻膠。?

現有技術中，常見的全濕法去膠采用有機溶液去膠，如丙酮或者N-甲基吡咯烷酮等。?

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術存在以下問題：?

僅僅使用純的有機溶液無法保證去膠的效果，總會有殘留的光刻膠無法去除，從而影響半導體發光器件的質量。使用有機溶劑還會帶來操作危險和環境污染。?

發明內容

為了解決現有技術有機溶液無法完全將刻蝕后的光刻膠去除和環境污染的問題，本發明實施例提供了一種刻蝕后去膠的溶液和方法。所述技術方案如下：?

一方面，本發明實施例提供了一種刻蝕后去膠的溶液，所述溶液由堿、醇和蒸餾水組成；其中所述堿的質量分數為10%至25%，所述醇的質量分數為5%至20%，所述蒸餾水的質量分數為60%至70%。?

其中，所述堿為KOH、NaOH、Ca(OH)₂其中任一種。?

其中，所述的醇為甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇其中任一種。?

另一方面，本發明實施例還提供了一種刻蝕后去膠的方法，所述方法包括：?

將刻蝕后的晶片放入混合后的溶液中，浸泡后取出沖水并甩干。?

其中，浸泡時間為15分鐘至30分鐘。?

其中，所述方法還包括：在浸泡前將溶液溫度調節到50℃-70℃。?

進一步地，所述方法還包括：在浸泡過程中向溶液中加入超聲波。?

本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：?

通過組成成分為堿、醇和蒸餾水的溶液，將刻蝕后的晶片放入其中浸泡，然后取出沖水并甩干；能夠有效去除刻蝕后的光刻膠。?

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面對本發明實施方式作進一步地詳細描述。?

實施例一?

本發明實施例提供了一種刻蝕后去膠的溶液，該溶液由20wt%KOH、15wt%乙醇和65wt%蒸餾水組成。?

該溶液在配置時，先將KOH加入蒸餾水中，配置堿性溶液；然后向上述溶液中加入乙醇。?

上述溶液使用時，將溫度調至50℃，將晶片放入其中浸泡30min，取出沖水甩干。?

優選地，在浸泡過程中向溶液中加入超聲波。?

使用該溶液對刻蝕后的晶片進行去膠時，去膠速度快，去膠效果可以達到正常生產要求，同時不使用有機溶劑，對環境無污染，揮發物無毒無害。?

實施例二?

本發明實施例提供了一種刻蝕后去膠的溶液，該溶液由20wt%NaOH、20wt%甲醇和60wt%蒸餾水組成。?

該溶液在配置時，先將NaOH加入蒸餾水中，配置堿性溶液；然后向上述溶液中加入甲醇。?

上述溶液使用時，將溫度調至70℃，將晶片放入其中浸泡15min，取出沖水甩干。?

優選地，在浸泡過程中向溶液中加入超聲波。?

使用該溶液對刻蝕后的晶片進行去膠時，去膠速度快，效果好，溶劑對環境無污染，揮發物無毒無害。?

實施例三?

本發明實施例提供了一種刻蝕后去膠的溶液，該溶液由10wt%Ca(OH)2、20wt%丙醇和?70wt%蒸餾水組成。?

該溶液在配置時，先將Ca(OH)₂加入蒸餾水中，配置堿性溶液；然后向上述溶液中加入丙醇。?

上述溶液使用時，將溫度調至60℃，將晶片放入其中浸泡20min，取出沖水甩干。?

優選地，在浸泡過程中向溶液中加入超聲波。?

使用該溶液對刻蝕后的晶片進行去膠時，去膠速度快，效果好，溶劑對環境無污染，揮發物無毒無害。?

實施例四?

本發明實施例提供了一種刻蝕后去膠的溶液，該溶液由25wt%KOH、5wt%異丙醇和70wt%蒸餾水組成。?

該溶液在配置時，先將KOH加入蒸餾水中，配置堿性溶液；然后向上述溶液中加入異丙醇。?

上述溶液使用時，將溫度調至70℃，將晶片放入其中浸泡30min，取出沖水甩干。?