[發(fā)明專利]半導體裝置的制造方法以及半導體裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210280867.8 | 申請日： | 2008-12-02 |
| 公開（公告）號： | CN102915932A | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 增子崇;川守崇司;滿倉一行;加藤木茂樹 | 申請（專利權(quán)）人： | 日立化成工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/58 | 分類號： | H01L21/58;H01L21/683;C09J4/06;G03F7/027 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘晶;於毓楨 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體 裝置 制造 方法 以及 | ||
1.一種半導體裝置的制造方法，其具備：通過曝光及顯影將設(shè)置于半導體芯片的電路面上的感光性粘接劑形成圖案的工序、和將其他的半導體芯片與形成圖案后的所述感光性粘接劑直接粘接的工序，
所述感光性粘接劑通過曝光及顯影而形成圖案后對于被粘接物具有粘接性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述感光性粘接劑能夠堿顯影。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，形成圖案后的所述感光性粘接劑為緩沖涂膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述感光性粘接劑含有堿可溶性聚合物、放射線聚合性化合物和光聚合引發(fā)劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述堿可溶性聚合物具有羧基或酚性羥基。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述堿可溶性聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為150℃以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述堿可溶性聚合物為聚酰亞胺。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述聚酰亞胺是通過使四羧酸二酐與二胺反應(yīng)而得到的聚酰亞胺，所述二胺包括分別由下述化學式(Ⅰ-a)、(Ⅰ-b)、(Ⅱ-a)、(Ⅱ-b)及(Ⅱ-c)表示的芳香族二胺中的至少一種，
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述感光性粘接劑進一步含有熱固化性樹脂。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，所述感光性粘接劑為薄膜狀。
11.一種半導體裝置，其通過具備如下工序的半導體裝置的制造方法而得到，所述半導體裝置的制造方法具備：通過曝光及顯影將設(shè)置于半導體芯片的電路面上的感光性粘接劑形成圖案的工序、和將其他的半導體芯片與形成圖案后的所述感光性粘接劑直接粘接的工序，
所述感光性粘接劑通過曝光及顯影而形成圖案后對于被粘接物具有粘接性。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述感光性粘接劑能夠堿顯影。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，形成圖案后的所述感光性粘接劑為緩沖涂膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，所述感光性粘接劑含有堿可溶性聚合物、放射線聚合性化合物和光聚合引發(fā)劑。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，所述堿可溶性聚合物具有羧基或酚性羥基。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，所述堿可溶性聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為150℃以下。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，所述堿可溶性聚合物為聚酰亞胺。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導體裝置，其特征在于，所述聚酰亞胺是通過使四羧酸二酐與二胺反應(yīng)而得到的聚酰亞胺，所述二胺包括分別由下述化學式(Ⅰ-a)、(Ⅰ-b)、(Ⅱ-a)、(Ⅱ-b)及(Ⅱ-c)表示的芳香族二胺中的至少一種，
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，所述感光性粘接劑進一步含有熱固化性樹脂。
20.根據(jù)權(quán)利要求11～19中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述感光性粘接劑為薄膜狀。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
