[發(fā)明專利]襯底臺組件、浸沒光刻設備以及器件制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210280770.7 | 申請日： | 2012-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN102955372A | 公開（公告）日： | 2013-03-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | J·G·C·昆尼;J·H·W·雅各布斯;M·霍本;T·S·M·勞倫特;F·J·J·范鮑克斯臺爾;S·C·R·德爾克斯;S·N·L·唐德斯 | 申請（專利權(quán)）人： | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 吳敬蓮 |
| 地址： | 荷蘭維*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 組件 浸沒 光刻 設備 以及 器件 制造 方法 | ||
1.一種用于浸沒光刻設備的襯底臺組件，包括：
襯底臺，用以支撐襯底；和
氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺與安裝在襯底臺上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體包括H2。
2.一種用于浸沒光刻設備的襯底臺組件，包括：
襯底臺，用以支撐襯底；和
氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺與安裝在襯底臺上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)，
其中襯底臺包括用以從氣體供給系統(tǒng)供給氣體至襯底和襯底臺之間的區(qū)域的供給口，和用以從所述區(qū)域抽取流體的抽取口，所述抽取口包括外周抽取口，所述外周抽取口配置成從與襯底的外周鄰近的區(qū)域提供周圍環(huán)境氣體、浸沒流體或兩者的橫向向內(nèi)的流動。
3.一種用于浸沒光刻設備的襯底臺組件，包括：
襯底臺，用以支撐襯底；和
氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺與安裝在襯底臺上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)，
其中所述襯底臺包括通孔，所述通孔具有進入襯底與襯底臺之間的區(qū)域的開口。
4.一種用于浸沒光刻設備的襯底臺組件，包括：
襯底臺，用以支撐襯底；
氣體處理系統(tǒng)，用以將氣體提供至襯底臺與安裝在襯底臺上的襯底之間的區(qū)域，其中由氣體處理系統(tǒng)提供的氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)；和
邊緣密封件，用以在襯底之上的區(qū)域與襯底和襯底臺之間的區(qū)域之間的襯底的外周邊緣處提供密封，
其中所述組件配置成從與襯底的外周鄰近的區(qū)域提供熱導率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)的氣體的橫向向內(nèi)的流動。
5.一種浸沒光刻設備，包括根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的襯底臺組件。
6.一種從根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的襯底臺組件中的襯底臺拆卸或移除襯底的方法，所述方法包括下列依次序的步驟：
使用氣體處理系統(tǒng)將熱導率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)的氣體提供至襯底與襯底臺之間的區(qū)域；
使用氣體處理系統(tǒng)將沖洗氣體提供至襯底與襯底臺之間的區(qū)域，以沖洗掉熱導率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)的氣體；和
當熱導率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)的氣體的濃度下降至特定閾值以下時從襯底臺移除襯底。
7.一種將襯底安裝在根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的襯底臺組件中的襯底臺上的方法，所述方法包括下列依次序的步驟：
將襯底放置在襯底臺上；
在襯底與襯底臺之間的區(qū)域的中心部分中建立低于大氣壓的壓力；
在襯底與襯底臺之間的區(qū)域中引入熱導率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)的氣體；和
在基本上恒定的低于大氣壓的壓力條件下建立通過襯底與襯底臺之間的區(qū)域的恒定的氣體流。
8.一種器件制造方法，包括步驟：
將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)與襯底之間的空間的浸沒液體；和
將氣體提供至襯底與襯底臺之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)，其中所述氣體包括H2。
9.一種器件制造方法，包括步驟：
將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)與襯底之間的空間的浸沒液體；和
將氣體提供至襯底與襯底臺之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)；和
從與襯底的外周相鄰的區(qū)域提供周圍環(huán)境氣體、浸沒流體或兩者的橫向向內(nèi)的流動。
10.一種器件制造方法，包括步驟：
將圖案化輻射束投影通過限制至投影系統(tǒng)與襯底之間的空間的浸沒液體；和
將氣體提供至襯底與襯底臺之間的區(qū)域，其中所述氣體的熱導率在298K的條件下大于或等于100mW/(m.K)，
其中所述襯底臺包括通孔，所述通孔具有進入襯底與襯底臺之間的區(qū)域的開口。
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