[發(fā)明專利]一種多晶硅太陽能電池的磷擴(kuò)散方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210280345.8 | 申請日: | 2012-08-08 |
| 公開(公告)號: | CN102810599A | 公開(公告)日: | 2012-12-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張鳳;王栩生;章靈軍 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯(中國)投資有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/223;C30B31/06 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海鋒;陸金星 |
| 地址: | 215129 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 多晶 太陽能電池 擴(kuò)散 方法 | ||
1.一種多晶硅太陽能電池的磷擴(kuò)散方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)?將待處理的多晶硅片的正面整面生長含磷摻雜劑;
(2)?將上述多晶硅片放入擴(kuò)散爐中,以1~10℃/min的升溫速率升溫至880~930℃,升溫的同時(shí)通入攜磷源氮?dú)狻⒏裳鹾痛蟮鰯y磷源氮?dú)獾牧髁繛?~2?L/min,干氧的流量為0.5~2?L/min,大氮的流量為10~30?L/min;
(3)?保持步驟(2)中的溫度,通入攜磷源氮?dú)狻⒏裳鹾痛蟮M(jìn)行擴(kuò)散,擴(kuò)散時(shí)間為20~50?min;所述攜磷源氮?dú)獾牧髁繛?~2?L/min,干氧的流量為0.5~2?L/min,大氮的流量為10~30?L/min;
(4)?以1~10℃/min的降溫速率降溫至800~850℃,降溫的同時(shí)通入氧氣和氮?dú)猓黄渲醒鯕獾牧髁繛?~10?L/min,氮?dú)獾牧髁繛?0~30?L/min;
(5)?降溫,出舟,完成擴(kuò)散過程。
2.由權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散方法制得的多晶硅片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅片,其特征在于:所述多晶硅片的方塊電阻為60~100歐姆/sq,其結(jié)的表面濃度為2×1020?~1×1021?atom/cm3,結(jié)深為0.5~1.2微米。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





