[發(fā)明專利]氧化物半導體薄膜及制備方法、薄膜晶體管及制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210279649.2
• 申請日: 2012-08-07
• 公開（公告）號: CN102810483A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設計）人: 邱勇;趙云龍;段煉
• 申請（專利權）人: 清華大學;北京維信諾科技有限公司;昆山維信諾顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/06;B05D3/02
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種氧化物半導體薄膜的制備方法，包括以下步驟：

（1）制備前驅(qū)體溶液

將含有目標氧化物金屬離子的前驅(qū)體材料和穩(wěn)定劑溶解于溶液中，充分攪拌使其充分溶解，得到前驅(qū)體溶液；

（2）制備反應溶液

在前驅(qū)體溶液中加入帶有OH或者OR基團的催化劑，攪拌使其充分溶解得到反應溶液；

（3）制備氧化物半導體薄膜

將步驟（2）制備的反應溶液在涂布面上涂布成膜，經(jīng)熱處理程序得到氧化物半導體薄膜。

2.根據(jù)權利要求1所述氧化物半導體薄膜的制備方法，其特征在于：

所述前驅(qū)體材料包括鋅的前驅(qū)體材料和/或錫的前驅(qū)體材料。

3.根據(jù)權利要求2所述氧化物半導體薄膜的制備方法，其特征在于：

所述前驅(qū)體材料包括鋅的前驅(qū)體材料和錫的前驅(qū)體材料，所述鋅的前驅(qū)體材料和錫的前驅(qū)體材料的摩爾比為0.01：1~1：1。

4.根據(jù)權利要求2或3所述氧化物半導體薄膜的制備方法，其特征在于：

所述錫的前驅(qū)體材料選自以下物質(zhì)的一種或若干種：

氯化亞錫SnCl₂；

氯化錫SnCl₄；

硝酸亞錫Sn（NO₃）₂；

硝酸錫Sn（NO₃）₄；

錫、亞錫的醇鹽Sn(OR)₄，Sn(OR)₂，其中R選自以下基團的一種：CH₃-(CH₂)_n-或者[CH₃-(CH₂)_n]₂CH-或者[CH₃-(CH₂)_n]₃C-，其中5≥n≥0；

羧酸亞錫Sn（OOC-R）₂，羧酸錫Sn（OOC-R）₄，其中R選自以下基團的一種：H或者CH₃-(CH₂)_n-或者[CH₃-(CH₂)_n]₂CH-或者[CH₃-(CH₂)_n]₃C-，其中5≥n≥0。

5.根據(jù)權利要求2至4任一所述氧化物半導體薄膜的制備方法，其特征在于：

所述鋅的前驅(qū)體材料選自以下物質(zhì)的一種或若干種：

醋酸鋅Zn（OAc）₂；

氯化鋅ZnCl₂；

硝酸鋅Zn（NO₃）₂；

鋅的醇鹽Zn(OR)₂，其中R選自以下基團的一種：CH₃-(CH₂)_n-或[CH₃-(CH₂)_n]₂CH-或者[CH₃-(CH₂)_n]₃C-，其中5≥n≥0；

羧酸鋅Zn（OOC-R）₂，其中R為H或CH₃-(CH₂)_n-或[CH₃-(CH₂)_n]₂CH-或[CH₃-(CH₂)_n]₃C-中的一種，其中5≥n≥0。