[發(fā)明專利]垂直腔面發(fā)射激光器及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210279632.7 | 申請日： | 2012-08-08 |
| 公開（公告）號： | CN102790354A | 公開（公告）日： | 2012-11-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 寧永強(qiáng);張祥偉;秦莉;劉云;王立軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 長春菁華專利商標(biāo)代理事務(wù)所 22210 | 代理人： | 張偉 |
| 地址： | 130033 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 垂直 發(fā)射 激光器 及其 制作方法 | ||
1.一種垂直腔面發(fā)射激光器，由上至下依次為：襯底、緩沖層、N型分布布拉格反射鏡組、有源區(qū)、氧化限制層、P型分布布拉格反射鏡組和歐姆接觸層；其特征在于，
所述氧化限制層內(nèi)的載流子注入孔徑的形狀為透光區(qū)和不透光區(qū)間隔排列的光柵條紋形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述載流子注入孔徑的光柵條紋寬度為0.5-1.5μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述有源區(qū)包括：空間層和激活區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述氧化限制層為AlAs層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的垂直腔面發(fā)射激光器，其特征在于，所述有源區(qū)、氧化限制層、P型分布布拉格反射鏡組和歐姆接觸層的外側(cè)，均設(shè)有厚度為100～250nm的AlN鈍化層。
6.權(quán)利要求1所述的垂直腔面發(fā)射激光器的制作方法，其特征在于，該垂直腔面發(fā)射激光器的氧化限制層的形成包括以下步驟：
步驟i：通過光刻成形出氧化限制層；
步驟ii：在所述氧化限制層上方生長二氧化硅薄膜，然后將其光刻為光柵條紋形狀；
步驟iii：對所述氧化限制層進(jìn)行氧化，形成光柵條紋形狀的載流子注入孔徑；
步驟iv：去除掉步驟ii中形成的所述二氧化硅薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述步驟iii中對所述圓形氧化限制層進(jìn)行氧化的氧化深度為所述氧化限制層的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述步驟ii中，在所述圓形氧化限制層上方生長二氧化硅薄膜的厚度為50～250nm。
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