[發明專利]太陽能選擇性吸收涂層無效
| 申請號： | 201210279294.7 | 申請日： | 2012-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN103574948A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發明（設計）人： | 項曉東 | 申請（專利權）人： | 益科博能源科技（上海）有限公司 |
| 主分類號： | F24J2/48 | 分類號： | F24J2/48;B32B15/04;B32B9/04 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能 選擇性 吸收 涂層 | ||
1.一種太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于，包括金屬反射層和形成在所述金屬反射層上的半導體吸收層，所述金屬反射層為Al，半導體吸收層為Ge。
2.根據權利要求1所述的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于，所述金屬反射層和半導體吸收層之間設有紅外透明氧化物層。
3.根據權利要求2所述的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于，所述紅外透明氧化物層為Cr2O3、Al2O3或TiO2。
4.根據權利要求2所述的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于，所述金屬反射層下方設有粘附層，所述粘附層為Ni、Ti或Cr2O3。
5.根據權利要求4所述的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于，所述半導體吸收層表面為微觀粗糙絨面。
6.根據權利要求5所述的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于，所述微觀粗糙絨面表面涂覆抗氧化保護層。
7.根據權利要求4所述的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于，所述半導體吸收層表面設有1～3層增透膜。
8.根據權利要求7所述的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于，所述2層增透膜依次覆蓋在導體吸收層表面，所述增透膜為Si3N4、SiO2+SiN4。
9.根據權利要求7所述的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于，所述增透膜表面涂覆抗氧化保護層，所述抗氧化保護層為SiO2。
10.根據權利要求1至9任一項所述的太陽能選擇性吸收涂層，其特征在于，所述選擇性吸收涂層涂覆在高光潔度的表面上。
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