[發明專利]一種提高發射極方塊電阻的濕法刻蝕工藝

無效

• 申請號: 201210278579.9
• 申請日: 2012-08-08
• 公開（公告）號: CN102776515A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 魯偉明;初仁龍
• 申請（專利權）人: 泰通（泰州）工業有限公司
• 主分類號: C23F1/24
• 分類號: C23F1/24;H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種提高發射極方塊電阻的濕法刻蝕工藝，其特征是，包括以下步驟：

(1)先將擴散后的硅片采用HF清洗，去掉磷硅玻璃，然后用去離子水清洗；

(2)將去掉磷硅玻璃的硅片用HNO₃、HF、H₂SO₄、H₃PO₄混合溶液對硅片表面進行腐蝕，特別是腐蝕產生的NO氣體對硅片表面進行腐蝕，將重摻雜區腐蝕掉，方阻再提升5-7?Ω/□左右，然后用去離子水清洗，背表面有趨于弱拋光狀態，更平整；

(3)用NaOH溶液清洗硅片，去掉步驟(2)中產生的多孔硅，進一步提高方阻，然后用去離子水清洗；

(4)用HF、HCl混合溶液對硅片進行清洗，去除金屬離子，然后去離子水清洗。

2.??根據權利要求1所述的提高發射極方塊電阻的濕法刻蝕工藝，其特征是，所述步驟(1)中所用的HF的體積濃度為1%-10%，時間是1min-5min，溫度是5-25℃。

3.??根據權利要求1所述的提高發射極方塊電阻的濕法刻蝕工藝，其特征是，所述步驟(2)?中所用的HNO₃：HF：H₂SO₄：H₃PO₄的比例是3:1:3:1—10:1:3:1，時間是1min-5min，溫度是5-25℃。

4.根據權利要求1所述的提高發射極方塊電阻的濕法刻蝕工藝，其特征是，所述步驟(3)?中所用的NaOH溶液濃度為2%-5%，時間是1min-5min，溫度是25-50℃。

5.??根據權利要求1所述的提高發射極方塊電阻的濕法刻蝕工藝，其特征是，所述步驟(4)中所用的HF和HCl混合溶液的HF:HCl體積比是1:2-1:5，時間是1min-5min，溫度是5-25℃。