[發(fā)明專利]光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210278323.8
• 申請日: 2012-08-07
• 公開（公告）號: CN102956654B
• 公開（公告）日: 2016-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 荒川三喜男;伊藤正孝
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 楊小明

1.一種光電轉(zhuǎn)換裝置的制造方法，包括以下的處理：

形成隔離區(qū)域，所述隔離區(qū)域限定半導體晶片上的活性區(qū)域；

在由所述隔離區(qū)域限定的活性區(qū)域中形成光電轉(zhuǎn)換元件；和

在所述光電轉(zhuǎn)換元件上形成微透鏡，

其中，通過使用在形成隔離區(qū)域的處理中形成的對準標記，執(zhí)行形成光電轉(zhuǎn)換元件的處理中的對準和形成微透鏡的處理中的對準。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括形成N個金屬層的處理，這里，N≥2，

形成N個金屬層的處理包含：

形成要與半導體晶片上的晶體管連接的第一金屬層的處理；和

形成最接近所述微透鏡的第N個金屬層的處理，

其中，通過使用在形成隔離區(qū)域的處理中形成的對準標記，執(zhí)行形成第N個金屬層的處理中的對準。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，

形成第N個金屬層的處理包含：

形成第N個金屬層中的金屬栓塞的栓塞形成步驟；和

形成第N個金屬層中的金屬互連的互連形成步驟，第N個金屬層中的金屬互連與第N個金屬層中的金屬栓塞連接，并且，

通過使用在形成隔離區(qū)域的處理中形成的對準標記執(zhí)行栓塞形成步驟中的對準，并且，通過使用在栓塞形成步驟中形成的對準標記執(zhí)行互連形成步驟中的對準。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，

在形成第N個金屬層的處理中，通過使用包含溝槽形成步驟的鑲嵌方法形成第N個金屬層中的金屬互連，并且，

通過使用在形成隔離區(qū)域的處理中形成的對準標記執(zhí)行溝槽形成步驟中的對準。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，

在形成第N個金屬層的處理中，通過使用包含通路孔形成步驟和溝槽形成步驟的雙重鑲嵌方法形成第N個金屬層中的金屬栓塞和第N個金屬層中的金屬互連，

形成N個金屬層的處理還包含形成第（N-1）個金屬層的處理，

通過使用在形成第（N-1）個金屬層的處理中形成的對準標記執(zhí)行通路孔形成步驟中的對準，并且，

通過使用在形成隔離區(qū)域的處理中形成的對準標記執(zhí)行通路孔形成步驟中的對準。

6.根據(jù)權(quán)利要求2～5中的任一項所述的方法，還包括形成晶體管的控制電極的處理，其中，

通過使用在形成隔離區(qū)域的處理中形成的對準標記，執(zhí)行形成控制電極的處理中的對準，

通過使用在形成控制電極的處理中形成的對準標記，執(zhí)行形成第一金屬層的處理中的對準，

形成N個金屬層的處理還包含形成要與第一金屬層連接的第二金屬層的處理，并且，

通過使用在形成第一金屬層的處理中形成的對準標記，執(zhí)行形成第二金屬層的處理中的對準。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一項所述的方法，還包括在光電轉(zhuǎn)換元件上形成濾色器的處理，所述形成濾色器的處理是在所述形成微透鏡的處理之前被執(zhí)行的，

其中，通過不經(jīng)由濾色器地檢測在形成隔離區(qū)域的處理中形成的對準標記執(zhí)行形成微透鏡的處理中的對準。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一項所述的方法，其中，

在形成光電轉(zhuǎn)換元件的處理中，光電轉(zhuǎn)換元件被形成為具有通過隔開部相互隔離的多個光電轉(zhuǎn)換單元，使得多個光電轉(zhuǎn)換單元單獨地產(chǎn)生并蓄積信號電荷，并且，

在形成微透鏡的處理中，形成微透鏡，使得微透鏡的光軸對應于所述隔開部。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一項所述的方法，其中，

在形成隔離區(qū)域的處理中，形成第一測試標記，

在形成微透鏡的處理中，形成第二測試標記，并且，

在執(zhí)行形成微透鏡的處理之后，測量第一測試標記與第二測試標記之間的相對位置關(guān)系，并且，如果所述相對位置關(guān)系處于允許的范圍之外，那么微透鏡被去除，并然后在光電轉(zhuǎn)換元件之上再次形成微透鏡。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一項所述的方法，還包括將半導體晶片分割成多個芯片的處理，其中，所述多個芯片中的每一個包含其中形成在形成隔離區(qū)域的處理中形成的對準標記的標記部分和其中形成光電轉(zhuǎn)換元件的受光部分。