[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210278085.0
• 申請日: 2009-07-31
• 公開（公告）號: CN102779844A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 山崎舜平;宮入秀和;秋元健吾;白石康次郎
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/49
• 分類號: H01L29/49;H01L29/45;H01L29/786
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 郭放

1.一種半導體裝置，包括：

在具有絕緣表面的襯底上的柵電極；

在所述柵電極上的第一絕緣膜；

在所述第一絕緣膜上的氧化物半導體層；

在所述氧化物半導體層上的第二絕緣膜；以及

在所述氧化物半導體層上的導電膜，

其中，所述氧化物半導體層與所述第二絕緣膜彼此接觸的第一區域與所述柵電極的至少一部分重疊，并且

其中，所述氧化物半導體層與所述導電膜彼此接觸的第二區域中的所述氧化物半導體層的厚度比所述第一區域中的所述氧化物半導體層的厚度小。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述導電膜的一部分形成在所述第二絕緣膜上。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體層至少包含In、Ga及Zn。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一絕緣膜是氧化硅膜、氧化鋁膜、氧化鎂膜、氮化鋁膜和氧化釔膜中的一種。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第二絕緣膜是氧化硅膜、氧化鋁膜、氧化鎂膜、氮化鋁膜和氧化釔膜中的一種。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一絕緣膜包含鹵素元素，該鹵素元素的濃度為1×10¹⁵cm^-3至1×10²⁰cm^-3。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第二絕緣膜包含鹵素元素，該鹵素元素的濃度為1×10¹⁵cm^-3至1×10²⁰cm^-3。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述導電膜是包含鈦膜和鋁膜的疊層膜。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括在所述柵電極與所述第一絕緣膜之間的氮化硅膜或氮氧化硅膜。

10.一種半導體裝置，包括：

在襯底上的柵電極；

在所述柵電極上的第一絕緣層，所述第一絕緣層包含氮化硅；

在所述第一絕緣層上的第二絕緣層，所述第二絕緣層包含氧化硅；

在所述柵電極上的包含銦的氧化物半導體層，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層被插入在所述氧化物半導體層與所述柵電極之間；

在所述氧化物半導體層上的源電極和漏電極；

在所述源電極和所述漏電極上的第三絕緣層，所述第三絕緣層包含氧化硅；

在所述第三絕緣層上的第四絕緣層，所述第四絕緣層包含氮化硅；

在所述第四絕緣層上的第五絕緣層，所述第五絕緣層包含有機材料；以及

在所述第五絕緣層上的像素電極。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，所述第二絕緣層與所述第三絕緣層接觸。

12.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，所述氧化物半導體層至少包含銦、鎵和鋅。

13.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，所述第一絕緣層包含鹵素元素，該鹵素元素的濃度為1×10¹⁵cm^-3至1×10²⁰cm^-3。

14.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，所述襯底是玻璃襯底。

15.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中，所述第五絕緣層包含丙烯酸。

16.根據權利要求10所述的半導體裝置，還包括連接到所述襯底的FPC。