[發明專利]一種提高石墨舟處理效果的方法在審
| 申請號: | 201210277304.3 | 申請日: | 2012-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN103579057A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | 徐杰 | 申請(專利權)人: | 浙江鴻禧光伏科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 石墨 處理 效果 方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池制作技術領域,具體地說是一種涉及PECVD工序石墨舟處理效果的方法。?
背景技術
在晶硅太陽能電池的傳統生產工藝中,PECVD工序主要是為了降低電池片表面的反射率和強鈍化效果等作用。而在鍍膜過程中,石墨舟舟片作為電極,與硅片緊密接觸,參與整個鍍膜過程。而隨著石墨舟的使用次數越來越多,會在石墨舟舟片沉積一層氮化硅薄膜,使沉積在硅片表面的氮化硅薄膜的差異性越來越大。因此,通常情況下當石墨舟使用次數超過120次時,就需要對石墨舟進行拆卸并加以清洗。?
在晶體硅太陽能電池大規模生產過程中,容易出現鍍膜不均或者邊緣偏紅等現象,嚴重影響了電池片的外觀品質,從而導致出現較多返工片。本發明通過對石墨舟的清洗和飽和過程中進行改善,減少鍍膜不均和邊緣偏紅現象的發生,提高電池片鍍膜的均勻性和外觀品質。?
發明內容
本發明要解決的技術問題是:改善石墨舟的清洗方式和飽和方式,從而提高電池片鍍膜后的膜厚、折射率的均勻性和外觀品質。?
本發明所提供的一種提高石墨舟處理效果的方法,按如下步驟依次為:?
(1)將需要清洗的石墨舟拆卸開來,在拆卸石墨舟螺帽時,需避免螺帽與石墨板間的摩擦,以防止石墨板表面的氟氯碳化合物處理遭到破壞;?
(2)將拆卸后的石墨舟零件放置于濃度10±2%的HF清洗槽中清洗4至6個小時,確保零件能夠清洗干凈為止;?
(3)將經過酸液清洗后的石墨舟零件放入純水中進行漂洗,漂洗時間大致為4至6個小時,確保石墨舟零件無酸液殘留為止;?
(4)將拆卸的石墨舟零件放置在85±5℃的烘箱中烘干6至8小時;?
(5)將烘干的石墨舟零件組裝起來,并放入PECVD設備的爐管內再次烘干1至2個小時;?
(6)烘干后的石墨舟,不需插假片,直接放入PECVD設備的爐管內進行預處理3至4個小時,石墨舟的處理結束。?
本發明的有益效果是:增強石墨舟的處理效果,提高電池片鍍膜后膜厚、折射率的均勻性和外觀品質。?
附圖說明
圖1本發明實施例中新技術方案與原技術方案的膜厚均勻性實驗結果對比圖?
圖2?本發明實施例中新技術方案與原技術方案的折射率均勻性實驗結果對比圖?
具體實施方式
下面根據本發明提供的一種提高石墨舟處理效果的方法,采用下面的具體實施方案作進一步說明。本實施方案是在制絨、擴散、刻蝕、絲網印刷各道工序的工藝與原工藝相同的條件下進行的。具體實施方式如下:??
1、將需要清洗的石墨舟拆卸開來;?
2、將拆卸后的石墨舟零件放置于濃度10%的HF清洗槽中清洗5小時;?
3、將酸液清洗后的石墨舟零件放入純水中漂洗,清洗時間為5小時;?
4、將拆卸的石墨舟零件放置在80℃的烘箱中烘干6小時;?
5、將烘干的石墨舟零件組裝起來,并放入PECVD設備的爐管中再次烘干1小時;?
6、烘干后的石墨舟,不需插假片,直接放入PECVD設備的爐管中預處理3小?時。?
在本實施例中,使用本發明提供的新技術方案和原技術方案對石墨舟分別進行處理,然后按照晶硅太陽能電池片的正常生產工藝進行生產。從圖1和圖2所示的實驗數據來看:本發明中提供的技術方案可以有效地提高石墨舟處理效果,即氮化硅薄膜的均勻性從3.05%提高到2.39%(膜厚的均勻性的數值越低越好),折射率的均勻性從0.50%提高到0.38%。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





