[發明專利]鎵砷磷/磷化鎵黃光窄帶探測器及其制造方法

有效

• 申請號: 201210277267.6
• 申請日: 2012-08-06
• 公開（公告）號: CN102820344A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 肖雪芳;陳朝
• 申請（專利權）人: 廈門理工學院
• 主分類號: H01L31/0304
• 分類號: H01L31/0304;H01L31/105;H01L31/18
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所 35200
• 代理人: 馬應森;曾權

1.鎵砷磷/磷化鎵黃光窄帶探測器，其特征在于設有外延片，所述外延片自下而上依次設有n型高摻雜磷化鎵單晶襯底、非摻雜的磷化鎵緩沖層、非摻雜的GaAs_0.15P_0.85光吸收層和非摻雜的磷化鎵帽層，在外延片的n型高摻雜磷化鎵單晶襯底的底部設n型歐姆接觸電極；在外延片的非摻雜的磷化鎵帽層上依次生長氮化硅掩膜、通過鋅擴散形成的p型高摻雜擴散層、p型歐姆接觸電極和氮化硅抗反射膜。

2.如權利要求1所述鎵砷磷/磷化鎵黃光窄帶探測器的制造方法，其特征在于包括以下步驟：

1）將外延片清洗；

2）在外延片上生長氮化硅掩膜；

3）對氮化硅掩膜進行光刻干法腐蝕，裸露出擴散窗口；

4）以鋅為擴散源進行開管鋅擴散，形成P型高摻雜擴散層；

5）光刻，濺射p型歐姆接觸電極金屬和焊盤金屬；

6）剝離出P型的歐姆接觸電極圖形和焊盤圖形；

7）在流片背面濺射電極金屬，生成N型的歐姆接觸圖形；

8）快速熱退火，形成P-型歐姆接觸電極和N-型歐姆接觸電極；

9）濺射氮化硅抗反射膜；

10）光刻，干法腐蝕出焊盤窗口；

11）對流片進行測試、分類、劃片、封裝。