[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201210276049.0
• 申請日: 2012-08-03
• 公開（公告）號: CN103579000A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 陳勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有柵極結構，且在所述柵極結構兩側的半導體襯底中形成有源區和漏區；

形成一金屬鎳層，以覆蓋所述柵極結構以及所述源區和所述漏區；

執行一離子注入過程，以在所述柵極結構的頂部以及所述源區和所述漏區中形成金屬鉑層；

執行退火處理，以在所述柵極結構的頂部以及所述源區和所述漏區中形成金屬鎳硅化物層，其中，所述金屬鎳硅化物層中形成有所述金屬鉑層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述金屬鎳層之前，還包括對所述半導體襯底進行預清洗的步驟。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用物理氣相沉積法或濺射法形成所述金屬鎳層。

4.根據權利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述金屬鎳層的厚度為3-50nm。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在實施所述離子注入之前或者之后，還包括在形成的所述金屬鎳層上形成Ti/TiN保護層的步驟。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述Ti/TiN保護層的厚度為3-50nm。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子注入的能量為1-40keV。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子注入的劑量為1.0×e¹³-5.0×e¹⁴atom/cm²。

9.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述退火處理包括：

對所述半導體襯底進行第一次退火；

去除未與硅發生反應的金屬鎳層和所述Ti/TiN保護層；

對所述半導體襯底進行第二次退火。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一次退火的溫度為200-350℃，退火時間為1-50s。

11.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二次退火的溫度為400-600℃,退火時間為1-50s。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結構包括依次層疊的柵極介電層和柵極材料層。

13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述金屬鎳層之前執行所述離子注入過程。