[發(fā)明專利]晶片打標定位模具

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210275679.6
• 申請日: 2012-08-04
• 公開（公告）號: CN102862396A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發(fā)明（設計）人: 楊華;王祿寶;蔡金榮
• 申請（專利權）人: 江蘇吉星新材料有限公司
• 主分類號: B41J3/407
• 分類號: B41J3/407
• 代理公司: 上海海頌知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31258
• 代理人: 季萍

技術領域

本發(fā)明屬于藍寶石晶片打標工裝定位的技術領域，尤其涉及一種藍寶石晶片打標手動快速定位的模具。

背景技術

藍寶石又稱Al2O3單晶，俗稱剛玉，是一種簡單配位型氧化物晶體。藍寶石晶體具有優(yōu)異的光學性能、機械性能和化學穩(wěn)定性，強度高、硬度大、耐沖刷，可在接近2000℃高溫的惡劣條件下工作，因而被廣泛的應用于紅外軍事裝置、衛(wèi)星空間技術、高強度激光的窗口材料。其獨特的晶格結構、優(yōu)異的力學性能、良好的熱學性能使藍寶石晶體成為實際應用的半導體GaN/Al2O3發(fā)光二極管(LED)、大規(guī)模集成電路SOI和SOS及超導納米結構薄膜等最為理想的襯底材料。近年來，隨著現(xiàn)代科學技術的發(fā)展，對藍寶石晶體材料的尺寸、質(zhì)量不斷提出新的要求。

在進行藍寶石襯底晶片生產(chǎn)過程中，需要對晶片進行鐳刻號碼，雖然目前有全自動的打標機，但其價格要比手動設備高出幾倍甚至十幾倍，且打標的速度慢，性價比不佳。所以業(yè)內(nèi)很多廠家仍選擇使用手動放片打標，不論是晶片正面打標還是背部打標，為了保證打標號碼在晶片上的準確位置需要配套的工裝。有配套的工裝模具進行匹配，才能提高生產(chǎn)效率及打標的位置精度。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述技術問題，本發(fā)明提供一種能準確定位的晶片打標定位模具。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案為，一種晶片打標定位模具，所述晶片打標定位模具包含多個容納待打標晶片的凹坑，所述凹坑的輪廓由與待打標晶片外輪廓一致的圓弧線、向位線，以及一條一端與所述圓弧線相切、另一端與所述向位線相交的直線封閉構成。

由工作平臺提供一個垂直的基準平面（與機器打印原點對應），將本發(fā)明晶片打標定位模具放置在工作平臺上，緊貼垂直面，將待打標晶片放置在晶片打標定位模具上，使每片待打標晶片的外圓輪廓、向位邊與模具凹坑輪廓的圓弧線、向位線相貼近，調(diào)整打印焦距高度，設計CAD匹配模板即可達到準確定位、快速打標的有益效果。

作為本發(fā)明的進一步改進，在所述晶片打標定位模具上，與待打標晶片外輪廓相應的任一位置上設有小凹坑，在打標完成時，操作人員用手指在小凹坑位置將打標晶片勾出即可，方便快捷；晶片打標定位模具選用鋁質(zhì)材料，保證了待打標晶片不受工裝的二次污染。

附圖說明

圖1為本發(fā)明待打標晶片的平面結構示意圖；

圖2為本發(fā)明晶片打標定位模具局部俯視圖；

圖3為圖2所示晶片打標定位模具沿A-A線的剖視圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本發(fā)明做出進一步說明。

圖2所示，本發(fā)明晶片打標定位模具，所述晶片打標定位模具包含多個容納待打標晶片的凹坑3，所述凹坑3的輪廓由與待打標晶片外輪廓一致的圓弧線5、向位線6，以及一條一端與所述圓弧線5相切、另一端與所述向位線6相交的直線7封閉構成。

由工作平臺提供一個垂直的基準平面（與機器打印原點對應），將本發(fā)明晶片打標定位模具放置在工作平臺上，緊貼垂直面，將圖1所示的待打標晶片放置在晶片打標定位模具上，使每片待打標晶片的外圓輪廓1、向位邊2與模具凹坑輪廓的圓弧線5、向位線6相貼近，調(diào)整打印焦距高度，設計CAD匹配模板即可達到準確定位、快速打標的有益效果。

圖2和圖3所示，在所述晶片打標定位模具上，與待打標晶片外圓輪廓1、向位邊2相應的任一位置上設有小凹坑4，在打標完成時，操作人員用手指在小凹坑4的位置將打標晶片勾出即可，方便快捷；經(jīng)過公司現(xiàn)場人員的測試，本晶片打標定位模具每小時可以打標300片，比以往的打標速度提高了20%—30%。

本發(fā)明晶片打標定位模具采用純鋁材料作為基板，保證了待打標晶片不受工裝的二次污染，一次裝載20片2寸晶片，采用60度斜角靠點，縮短待打標晶片本身直徑帶來的位置誤差，每片晶片打標的位置誤差精度控制在0.057mm以內(nèi)，滿足了客戶的要求，降低了因打標報廢的概率，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。

以上實施例的描述較為具體、詳細，但并不能因此而理解為對本專利范圍的限制，應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。