[發明專利]面內切換模式液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201210275558.1
• 申請日: 2012-08-03
• 公開（公告）號: CN102914922A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 金種宇;吳彰浩;柳元馨;白尚潤;姜竣基
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1335
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本申請要求2011年8月4日提交的韓國專利申請No.10-2011-0077906的優先權，為了所有目的在此援引該專利申請作為參考，如同在這里完全闡述一樣。

技術領域

本發明涉及一種液晶顯示裝置，尤其涉及一種具有改善的開口率的面內切換模式液晶顯示裝置及其制造方法。

背景技術

近來，由于低功耗、較佳的便攜性和較高的附加價值，液晶顯示裝置作為下一代先進技術的顯示裝置而受到關注。

一般來說，液晶顯示（LCD）裝置使用液晶分子的光學各向異性和偏振特性。液晶分子由于其細長的形狀而具有明確的取向方向。可通過橫跨液晶分子施加電場來控制液晶分子的取向方向。

換句話說，因為電場的強度或方向變化，所以液晶分子的取向也變化。因為由于液晶分子的光學各向異性，入射光基于液晶分子的取向而發生折射，所以可通過控制液晶材料的光透射率顯示圖像。

因為包括作為開關元件的薄膜晶體管的LCD裝置（稱作有源矩陣LCD（AM-LCD）裝置）具有高分辨率和顯示移動圖像的出色特性，所以AM-LCD裝置得到廣泛應用。

AM-LCD裝置包括陣列基板、濾色器基板和夾在它們之間的液晶層。陣列基板可包括像素電極和薄膜晶體管，濾色器基板可包括濾色器層和公共電極。AM-LCD裝置由像素電極與公共電極之間的電場驅動，從而具有出色的透射率和開口率特性。然而，因為AM-LCD裝置使用垂直于基板的垂直電場，所以AM-LCD裝置具有較差的視角。

已提出并發展了具有寬視角特性的LCD裝置來解決上述缺陷。

圖1是現有技術的面內切換（IPS）模式LCD裝置的剖面圖。如圖1中所示，現有技術的IPS模式LCD裝置包括彼此隔開并面對的上基板9和下基板10。液晶層11夾在上、下基板9和10之間。在下基板10上形成公共電極17和像素電極30。公共電極17和像素電極30可設置在同一水平面上。液晶層11的液晶分子由公共電極17與像素電極30之間產生的水平電場L驅動。

圖2A和2B分別是顯示現有技術的IPS模式LCD裝置的開啟/關閉狀態的剖面圖。如圖2A中所示，顯示了處于開啟狀態的液晶分子的排列，當向IPS模式LCD裝置施加電壓時，公共電極17和像素電極30上方的液晶分子11a的排列未改變。然而，公共電極17與像素電極30之間的液晶分子11b由于水平電場L而水平排列。因為液晶分子11b通過水平電場L排列，所以IPS模式LCD裝置具有寬視角特性。例如，IPS模式LCD裝置在上、下以及左、右具有大約80度到大約89度的視角，同時不會產生圖像反轉或色反轉。

圖2B顯示了不向IPS模式LCD裝置施加電壓的狀態。因為在公共電極17與像素電極30之間沒有產生電場，所以液晶層的液晶分子11的排列沒有改變。

圖3是示意性示出現有技術的IPS模式LCD裝置的像素區域的剖面圖。

如圖3中所示，現有技術的IPS模式LCD裝置95包括陣列基板40、濾色器基板70以及夾在基板40與70之間的液晶層90。

陣列基板40包括沿水平方向形成的柵極線（未示出）、平行于柵極線的公共線（未示出）以及與柵極線和公共線（未示出）交叉的數據線50。在數據線50與柵極線和公共線之間設置柵極絕緣層48。柵極線和數據線50限定像素區域P。

在每個像素區域P中形成薄膜晶體管（未示出），薄膜晶體管包括柵極（未示出）、半導體層（未示出）以及源極和漏極（未示出）。鈍化層60覆蓋薄膜晶體管（未示出）。

在鈍化層60上的像素區域P中形成多個像素電極64和多個公共電極62。像素電極64通過暴露漏極（未示出）的漏極接觸孔（未示出）與薄膜晶體管（未示出）的漏極（未示出）電連接。公共電極62通過公共接觸孔（未示出）與公共線（未示出）連接。像素電極64和公共電極62均具有條形形狀并彼此交替布置。

這里，鈍化層48上的像素電極64和公共電極62具有透明導電材料或不透明金屬材料的單層結構。

對應于陣列基板40的濾色器基板70包括具有與像素區域P對應的開口的黑矩陣73和在黑矩陣73的開口中的濾色器層76。濾色器層76包括依次重復排列的紅色、綠色和藍色濾色器圖案76a、76b和76c。

涂覆層78覆蓋濾色器層76。在像素區域P的邊界處形成具有第一高度的間隙形成間隔件（未示出）和具有第二高度的防止擠壓間隔件（未示出）。第二高度低于第一高度。