[發(fā)明專利]一種光學(xué)臨近矯正方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210275387.2 | 申請日: | 2012-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN103576443A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳潔;王謹(jǐn)恒;萬金垠;張雷 | 申請(專利權(quán))人: | 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光學(xué) 臨近 矯正 方法 | ||
1.一種光學(xué)臨近矯正方法,其特征在于,所述矯正方法包括步驟:
根據(jù)工藝規(guī)格確定光刻工藝參數(shù);
根據(jù)所述光刻工藝參數(shù)確定光學(xué)臨近矯正模型,建立光學(xué)臨近矯正的運算程序;
清理孔與金屬層疊加后形成的凸起,生產(chǎn)OPC待處理文件;
對所述OPC待處理文件運行所述光學(xué)臨近矯正的運算程序,得到該待處理文件的修正圖形;
以所述修正圖形為掩膜圖形,進(jìn)行掩膜板制造。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)臨近矯正方法,其特征在于:所述光刻工藝參數(shù)包括曝光光路的光學(xué)參數(shù)、光刻膠材料的材料參數(shù)以及刻蝕工藝的化學(xué)參數(shù)。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)臨近矯正方法,其特征在于:所述清理孔與金屬層疊加后形成的凸起包括步驟:
記錄每個孔的位置,并生成一個孔分布坐標(biāo)參數(shù);
將金屬線層圖形和有孔的介質(zhì)層圖形進(jìn)行疊加;
在疊加之后的圖形上,依據(jù)各個孔位置坐標(biāo),找到有孔處的金屬線,并依據(jù)孔在縱坐標(biāo)上的長度尺寸,檢測對應(yīng)該長度范圍內(nèi)金屬線邊緣處,是否存在凸起;
對凸起的橫坐標(biāo)或縱坐標(biāo)進(jìn)行測量,得出凸起的尺寸;
根據(jù)測量得到的尺寸,利用圖形處理軟件執(zhí)行一凸起的清理程序。
4.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)臨近矯正方法,其特征在于:所述凸起的尺寸在0.001μm×0.196μm至0.005μm×0.196μm之間。
5.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)臨近矯正方法,其特征在于:所述圖形處理軟件為photoshop軟件或AutoCAD軟件。
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- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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