[發明專利]芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜及半導體裝置

有效

• 申請號: 201210275227.8
• 申請日: 2012-08-03
• 公開（公告）號: CN102911616A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 大西謙司;盛田美希;宍戶雄一郎
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;C09J133/00;H01L21/683;H01L23/29
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種芯片接合薄膜，其特征在于，

含有含腈基熱固性丙烯酸類共聚物和固化劑，

使用差示量熱計，以10℃/分鐘的升溫速度從25℃到300℃進行測定時的放熱量為10mJ/mg以下。

2.如權利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，

以在175℃熱固化5小時后為基準，失重5重量％的溫度為280℃以上，

在175℃熱固化5小時后相對于熱固化前的吸水率為1重量％以下。

3.如權利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，

在175℃熱固化5小時后的260℃下的拉伸儲能彈性模量為0.5MPa以上。

4.如權利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，

設所述含腈基熱固性丙烯酸類共聚物的重量為x、所述固化劑的重量為y時，重量比（x/y）為2以上且20以下。

5.如權利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，

所述含腈基熱固性丙烯酸類共聚物的重均分子量為50萬以上。

6.如權利要求1所述的芯片接合薄膜，其特征在于，

所述含腈基熱固性丙烯酸類共聚物含有環氧基，并且環氧值為0.1eq/kg以上且1eq/kg以下。

7.如權利要求6所述的芯片接合薄膜，其特征在于，

所述固化劑具有酚羥基。

8.一種切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

權利要求1所述的芯片接合薄膜層疊在切割薄膜上。

9.如權利要求8所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述芯片接合薄膜的熱固化前的25℃下的拉伸儲能彈性模量為1MPa以上且5GPa以下。

10.一種半導體裝置，其特征在于，

使用權利要求1至7中任一項所述的芯片接合薄膜或者權利要求8或9所述的切割/芯片接合薄膜制造。