[發明專利]化學氣相沉積設備及其頂板表面溫度檢測方法

無效

• 申請號: 201210275076.6
• 申請日: 2012-08-03
• 公開（公告）號: CN103077877A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 梁秉文;黃穎泉
• 申請（專利權）人: 光達光電設備科技（嘉興）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/244
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種化學氣相沉積設備，其包括腔體、設置在腔體內的頂板和襯底支撐座，所述頂板與所述襯底支撐座相對設置，所述襯底支撐座具有面向所述頂板的襯底支撐面，所述頂板具有面向所述襯底支撐座的第一表面和背離所述襯底支撐座的第二表面，其特征在于，所述化學氣相沉積設備進一步包括至少一探測孔和至少一溫度探測器；所述探測孔從所述腔體的外側向所述腔體內延伸，并從所述頂板第二表面一側延伸至所述頂板，但不穿透所述頂板；所述溫度探測器通過所述探測孔探測所述頂板的溫度，以獲得所述頂板第一表面的溫度。

2.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述溫度探測器探測所述探測孔底面的溫度值。

3.如權利要求2所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述探測孔底面到所述第一表面之間的距離大于或等于1mm。

4.如權利要求2所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述化學氣相沉積設備進一步包括設置在所述頂板第二表面一側的冷卻裝置，所述冷卻裝置用于冷卻所述頂板。

5.如權利要求4所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述探測孔底面到所述第二表面之間的距離大于或等于1mm。

6.如權利要求4所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述冷卻裝置緊貼所述第二表面設置。

7.如權利要求6所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述冷卻裝置為以所述第二表面為其一側面的冷卻腔。

8.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述化學氣相沉積設備還包括溫度校正單元，所述獲得所述頂板第一表面的溫度是通過所述溫度校正單元獲取所述溫度探測器探測到的溫度值并對所述溫度值進行校正而獲得。

9.如權利要求8所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述溫度校正單元包括一個查找表(LUT)，所述查找表存儲所述溫度探測器探測的所述頂板的溫度值與所述頂板第一表面的溫度值之間的對應關系。

10.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述探測孔在所述頂板處的直徑少于或等于10mm。

11.如權利要求10所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述探測孔在所述頂板處的直徑少于或等于4mm。

12.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述襯底支撐座繞垂直所述襯底支撐面的轉軸旋轉。

13.如權利要求12所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述化學氣相沉積設備為金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備。

14.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述化學氣相沉積設備包括一噴淋頭結構，所述頂板為所述噴淋頭結構臨近所述襯底支撐座一側的氣體分配板。

15.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述腔體具有與所述襯底支撐座相對設置的頂壁，所述頂板為所述腔體的頂壁。

16.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述溫度探測器為熱電偶，所述熱電偶伸入到所述探測孔，并與所述探測孔的底面接觸。

17.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述溫度探測器為輻射高溫計，所述輻照高溫極檢測所述探測孔的底面的輻射。

18.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述溫度探測器通過向所述探測孔的底面發射一簇輻射能量，并接收所述底面反射的輻照能量檢測所述探測孔的底面的溫度。

19.一種如權利要求1所述化學氣相沉積設備的頂板溫度檢測方法，其包括：

應用所述溫度探測器探測所述頂板的溫度；

提供一溫度校正單元，所述溫度校正單元接收所述溫度探測器探測到的溫度值，并根據所述溫度值運算出所述頂板第一表面的溫度。

20.如權利要求19所述的頂板溫度檢測方法，其特征在于：所述根據所述溫度值運算出所述頂板第一表面的溫度包括：所述溫度校正單元使得所述溫度探測器探測到的溫度值加上一溫度差值而得到所述頂板第一表面的溫度。