[發明專利]功率放大器有效
| 申請號： | 201210274868.1 | 申請日： | 2012-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN102916662A | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 三輪真一;塚原良洋;金谷康;小坂尚希 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H03F3/21 | 分類號： | H03F3/21;H03F1/56 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛立群;李浩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率放大器 | ||
1.一種功率放大器，其特征在于，具備：
半導體基板，形成有多個晶體管單元；
所述多個晶體管單元的漏極電極，形成在所述半導體基板上；
漏極焊盤，在所述半導體基板上以與所述漏極電極連接的方式形成；
離子注入電阻，在所述半導體基板以沿著所述漏極焊盤與所述漏極焊盤相接的方式形成；
浮動電極，在所述半導體基板上以經由所述離子注入電阻與所述漏極焊盤相接的方式形成；
輸出匹配電路，形成在所述半導體基板的外部；以及
布線，連接所述漏極焊盤和所述輸出匹配電路。
2.根據權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，具備：
追加離子注入電阻，在所述半導體基板以經由所述浮動電極與所述離子注入電阻相接的方式形成；以及
追加浮動電極，在所述半導體基板上以經由所述追加離子注入電阻與所述浮動電極相接的方式形成。
3.根據權利要求1所述的功率放大器，其特征在于，
所述多個晶體管單元具有第一晶體管單元和與所述第一晶體管單元相鄰的第二晶體管單元，
所述漏極焊盤具有作為所述第一晶體管單元的漏極焊盤的第一漏極焊盤和作為所述第二晶體管單元的漏極焊盤的與所述第一漏極焊盤分離形成的第二漏極焊盤，
所述第一漏極焊盤和所述第二漏極焊盤經由所述離子注入電阻連接。
4.根據權利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述離子注入電阻以延伸至所述第一漏極焊盤和所述第二漏極焊盤之間的方式形成。
5.根據權利要求1至4的任一項所述的功率放大器，其特征在于，所述半導體基板以GaN形成。
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