[發明專利]鹽、光致抗蝕劑組合物和用于生產光致抗蝕劑圖案的方法無效
| 申請號: | 201210274523.6 | 申請日: | 2012-08-03 |
| 公開(公告)號: | CN102924341A | 公開(公告)日: | 2013-02-13 |
| 發明(設計)人: | 市川幸司;向井優一;吉田勛 | 申請(專利權)人: | 住友化學株式會社 |
| 主分類號: | C07C309/17 | 分類號: | C07C309/17;C07C303/32;C07C381/12;C07D327/08;C07D327/06;C07D333/46;C07D307/33;C07D307/00;C07C25/18;C07C17/35;G03F7/004;G03F7/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 李新紅 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光致抗蝕劑 組合 用于 生產 圖案 方法 | ||
1.一種由式(I)表示的鹽:
其中Q1和Q2各自獨立表示氟原子或C1-C6全氟烷基,
L1表示C1-C20三價脂肪族飽和烴基,其中與脂肪族飽和烴鏈部分的亞甲基結合的氫原子可以被氟原子或羥基代替并且其中亞甲基可以被氧原子、-NR2-或羰基代替,其中R2表示氫原子或C1-C6烷基,
L1-OH的羥基位于L1的脂肪族飽和烴鏈部分,
W表示C3-C36脂環烴基,其中亞甲基可以被氧原子、硫原子、羰基或磺酰基代替,并且其中氫原子可以被羥基、C1-C12烷基、C1-C12烷氧基、C3-C18脂環烴基或C6-C14芳香族烴基代替,并且
Z+表示有機陽離子。
2.根據權利要求1所述的鹽,其中式(I)的L1-OH部分由式(L1-1)表示,
其中X0表示單鍵,
可以具有氟原子或羥基的C1-C14二價脂肪族烴基,
或由式(a-1)表示的基團
其中s表示0或1的整數,X10和X11各自獨立表示氧原子、羰基、羰氧基或氧羰基,A10、A11和A12各自獨立表示可以具有氟原子或羥基的C1-C12二價脂肪族烴基,*表示與碳原子的連接位置,X1表示-O-*1、-NR2-*1、-O-CO-*1、-O-CH2-*1、-O-CH2-CO-O-*1或-NR2-CH2-*1,其中*1表示與W的結合位置,
*0表示與結合到Q1和Q2的碳原子的結合位置,
并且
m1表示0至6的整數。
3.根據權利要求2所述的鹽,其中X1表示-O-*1、-NR2-*1、-O-CO-*1、-O-CH2-*1或-NR2-CH2-*1,其中*1表示與W的結合位置。
4.根據權利要求1或2所述的鹽,其中Z+是三芳基锍陽離子。
5.一種光致抗蝕劑組合物,所述光致抗蝕劑組合物包含根據權利要求1或2所述的鹽和樹脂,所述樹脂難溶或不溶于堿性水溶液但是通過酸的作用可溶于堿性水溶液。
6.根據權利要求5所述的光致抗蝕劑組合物,所述光致抗蝕劑組合物還包含堿性化合物。
7.一種用于生產光致抗蝕劑圖案的方法,所述方法包括下列步驟(1)至(5):
(1)將根據權利要求5或6所述的光致抗蝕劑組合物涂敷在基材上的步驟,
(2)通過進行干燥而形成光致抗蝕劑膜的步驟,
(3)將所述光致抗蝕劑膜對輻射曝光的步驟,
(4)將曝光的光致抗蝕劑膜烘焙的步驟,和
(5)將烘焙的光致抗蝕劑膜顯影,由此形成光致抗蝕劑圖案的步驟。
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