[發明專利]發光元件及其制作方法

無效

• 申請號: 201210274343.8
• 申請日: 2012-08-02
• 公開（公告）號: CN103579438A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 吳裕朝;劉艷;吳冠偉
• 申請（專利權）人: 東莞市正光光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 北京格羅巴爾知識產權代理事務所(普通合伙) 11406
• 代理人: 方志煒

1.一種發光元件，包括沿層疊方向依次層疊的襯底、第一導電型半導體層、發光層和第二導電型半導體層，其特征在于，還包括：

第一正電極，位于所述第二導電型半導體層的正面；

第一負電極，位于所述第一導電型半導體層上；

第二正電極，位于所述第一正電極的正面，至少部分與所述第一正電極在所述層疊方向上重疊和連接；以及

第二負電極，位于所述第一負電極的正面，至少部分與所述第一負電極在所述層疊方向上重疊和連接；

其中，所述正面是指在所述層疊方向上距離所述襯底更遠的表面，并且所述第二負電極的正面面積大于所述第一負電極的正面面積。

2.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述第二正電極與所述第二負電極之間在水平方向上的間距大于所述第一正電極與所述第一負電極之間在水平方向上的間距，其中所述水平方向是指與所述層疊方向垂直的方向。

3.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述第二正電極的正面與所述第二負電極的正面在同一水平面上，其中所述水平面是指與所述層疊方向垂直的平面。

4.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，還包括用于防止所述第一正電極、所述第二正電極各自與所述第一負電極、所述第二負電極連接的絕緣層，并且所述絕緣層至少位于所述第一正電極的不與所述第二正電極連接的正面以及所述第一負電極的不與所述第二負電極連接的正面。

5.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，所述第一負電極至少部分位于所述第一導電型半導體層的側面。

6.根據權利要求5所述的發光元件，其特征在于，所述第一負電極至少還部分位于所述第一導電型半導體層的正面。

7.根據權利要求5所述的發光元件，其特征在于，所述第一負電極至少還部分位于所述發光層的側面、所述第二導電型半導體層的側面以及所述第二導電型半導體層的正面。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的發光元件，其特征在于，所述第一負電極至少部分位于所述第一導電型半導體層的一個側面、兩個側面、三個側面或者四個側面上。

9.根據權利要求1-7中任一項所述的發光元件，其特征在于，還包括保護層，所述保護層位于所述第一正電極與所述第一負電極之間，并從所述第二導電型半導體層延伸至所述第一導電型半導體層。

10.根據權利要求1-7中任一項所述的發光元件，其特征在于，還包括穩壓二極管，所述穩壓二極管被設置為與所述第二負電極和所述第一正電極連接。

11.一種發光元件制作方法，其特征在于，包括：

沿層疊方向依次層疊襯底、第一導電型半導體層、發光層和第二導電型半導體層；

形成第一溝槽的步驟：去除掉部分所述第一導電型半導體層、所述發光層以及所述第二導電型半導體層，使得所述第一溝槽從所述第二導電型半導體層延伸至所述第一導電型半導體層；

在所述第二導電型半導體層的正面以及所述第一溝槽的底面和周面上形成電極層；

第一層電極形成步驟：去除掉部分所述電極層，使得所述電極層分離成位于所述第二導電型半導體層的正面的第一正電極和位于所述第一導電型半導體層上的第一負電極；以及

第二層電極形成步驟：在所述第一正電極的正面形成第二正電極，在所述第一負電極的正面形成第二負電極，

其中，所述正面是指在所述層疊方向上距離所述襯底更遠的表面，所述第二正電極與所述第一正電極連接，所述第二負電極與第一負電極連接，所述第二負電極的正面面積大于所述第一負電極的正面面積。

12.根據權利要求11所述的發光元件制作方法，其特征在于，所述第二電極層形成步驟還包括：

使得所述第二正電極與所述第二負電極之間在水平方向上的間距大于所述第一正電極與所述第一負電極之間在水平方向上的間距，其中所述水平方向是指與所述層疊方向垂直的方向。

13.根據權利要求11所述的發光元件制作方法，其特征在于，所述第二電極層形成步驟還包括：

使得所述第二正電極的正面與所述第二負電極的正面在同一水平面上，其中所述水平面是指與所述層疊方向垂直的平面。