[發(fā)明專利]電子轟擊式蒸發(fā)源系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210274225.7
• 申請日: 2012-08-01
• 公開（公告）號: CN102808155A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉宗鋒;劉惠森;楊明生
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞宏威數(shù)碼機(jī)械有限公司
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 張艷美;郝傳鑫

1.一種電子轟擊式蒸發(fā)源系統(tǒng)，包括控制器、控制電源及真空腔體，所述真空腔體內(nèi)設(shè)置有電子轟擊式蒸發(fā)源，所述控制電源分別與所述控制器及所述電子轟擊式蒸發(fā)源電連接，其特征在于：所述電子轟擊式蒸發(fā)源包括坩堝機(jī)構(gòu)、電子束發(fā)生機(jī)構(gòu)、散射電子吸收極及離子收集極，所述坩堝機(jī)構(gòu)上設(shè)置有多個(gè)坩堝，所述散射電子吸收極設(shè)置于所述坩堝的上方，并使其中一所述坩堝露出所述散射電子吸收極，所述電子束發(fā)生機(jī)構(gòu)設(shè)置于所述坩堝機(jī)構(gòu)的一側(cè)，且所述電子束發(fā)生機(jī)構(gòu)低于所述坩堝，所述電子束發(fā)生機(jī)構(gòu)的上端開設(shè)有出孔，所述出孔與露出所述散射電子吸收極的坩堝相對應(yīng)，所述離子收集極設(shè)置于所述電子束發(fā)生機(jī)構(gòu)的遠(yuǎn)離所述坩堝機(jī)構(gòu)的另一側(cè)，且所述離子收集極位于所述電子束發(fā)生機(jī)構(gòu)的上方，所述電子束發(fā)生機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的電子束在電場及偏轉(zhuǎn)磁場的作用下偏轉(zhuǎn)270度后入射到所述坩堝內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的電子轟擊式蒸發(fā)源系統(tǒng)，其特征在于：所述電子束發(fā)生機(jī)構(gòu)包括安裝腔、燈絲座、燈絲、聚束極、電磁線圈、右極靴及陽極，所述安裝腔包括上端面、相對的左側(cè)壁及右側(cè)壁，所述出孔開設(shè)于所述上端面，所述燈絲座的一端連接于所述左側(cè)壁上，所述燈絲設(shè)置于所述燈絲座內(nèi)，呈中空結(jié)構(gòu)的聚束極連接于所述燈絲座的另一端，并使其中空結(jié)構(gòu)與所述燈絲相對應(yīng)，所述右極靴設(shè)置于靠近所述右側(cè)壁的一側(cè)，且所述右極靴與所述聚束極相對應(yīng)，所述電磁線圈設(shè)置于所述聚束極與所述右極靴之間，所述陽極設(shè)置于所述電磁線圈及所述右極靴的上方，且所述陽極上開設(shè)有陽極孔，所述陽極孔與所述出孔相對應(yīng)，所述燈絲發(fā)射的電子束在電場及偏轉(zhuǎn)磁場的作用下經(jīng)所述聚束極的中空結(jié)構(gòu)、陽極孔、出孔后出射。

3.如權(quán)利要求2所述的電子轟擊式蒸發(fā)源系統(tǒng)，其特征在于：還包括一連接體，所述連接體的一端連接于所述上端面，所述連接體的另一端與所述離子收集極連接，且所述連接體位于所述右側(cè)壁一側(cè)。

4.如權(quán)利要求2所述的電子轟擊式蒸發(fā)源系統(tǒng)，其特征在于：還包括兩掃描電極，兩所述掃描電極傾斜地連接于所述上端面，且兩所述掃描電極位于所述出孔的兩側(cè)。

5.如權(quán)利要求2所述的電子轟擊式蒸發(fā)源系統(tǒng)，其特征在于：所述坩堝機(jī)構(gòu)包括呈圓形結(jié)構(gòu)的安裝座，所述安裝座設(shè)置于所述安裝腔的左側(cè)壁一側(cè)，所述安裝座上均勻地設(shè)置有多個(gè)所述坩堝，所述坩堝內(nèi)裝有膜材。

6.如權(quán)利要求5所述的電子轟擊式蒸發(fā)源系統(tǒng)，其特征在于：所述散射電子吸收極上開設(shè)一缺口，所述散射電子吸收極設(shè)置于所述安裝座的上方，并使所述缺口對應(yīng)其中一所述坩堝。

7.如權(quán)利要求5所述的電子轟擊式蒸發(fā)源系統(tǒng)，其特征在于：所述安裝座上開設(shè)有冷卻回路，所述冷卻回路對應(yīng)設(shè)置于所述坩堝的下方。

8.如權(quán)利要求2所述的電子轟擊式蒸發(fā)源系統(tǒng)，其特征在于：還包括電弧抑制器，所述電弧抑制器設(shè)置于所述燈絲旁并與所述控制電源電連接。