[發明專利]一種分步加熱制備硅基三維納米結構的方法

有效

• 申請號: 201210274130.5
• 申請日: 2012-08-02
• 公開（公告）號: CN102800850A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 張亞非;錢炳建;李海蓉;蘇言杰;魏浩
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: H01M4/38
• 分類號: H01M4/38;B82Y40/00
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 林君如

1.一種分步加熱制備硅基三維納米結構的方法，其特征在于，該方法使用兩個相互嵌套的中空石墨坩堝，分別放置硅源和鍍鐵的硅片基底，在1分鐘內迅速將溫度升高至950攝氏度，保持5分鐘后調整感應爐功率使得爐內溫度在數秒內降低至850攝氏度，繼續保持5分鐘后關閉電源并自然冷卻到室溫，在硅片基底上得到的黃色物即為三維硅基納米結構。

2.根據權利要求1所述的一種分步加熱制備硅基三維納米結構的方法，其特征在于，所述的硅源為一氧化硅或硅片。

3.根據權利要求1所述的一種分步加熱制備硅基三維納米結構的方法，其特征在于，所述的鍍鐵的硅片基底是通過磁控濺射在硅片上鍍設直徑在5-50納米的納米鐵顆粒。

4.根據權利要求1所述的一種分步加熱制備硅基三維納米結構的方法，其特征在于，所述的硅源放置于較小石墨坩堝中，所述的鍍鐵的硅片基底放置于較大的石墨坩堝中，兩個坩堝相互嵌套，使得從硅源蒸發的蒸汽可以平穩的通過硅片表面。

5.根據權利要求1所述的一種分步加熱制備硅基三維納米結構的方法，其特征在于，加熱反應時采用氬氣保護。

6.根據權利要求1所述的一種分步加熱制備硅基三維納米結構的方法，其特征在于，升溫至950攝氏度的過程在1分鐘內完成，降溫至850攝氏度在5-20秒內完成。