[發(fā)明專利]SOT89-5L封裝引線框架無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210274046.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102790036A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-11-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 侯友良 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 無(wú)錫紅光微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/495 | 分類號(hào): | H01L23/495 |
| 代理公司: | 無(wú)錫盛陽(yáng)專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32227 | 代理人: | 杜丹盛 |
| 地址: | 214028 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | sot89 封裝 引線 框架 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
????本發(fā)明涉及封裝的技術(shù)領(lǐng)域,具體為SOT89-5L封裝引線框架。
背景技術(shù)
標(biāo)準(zhǔn)的SOT89-3L封裝型式的引線框架見(jiàn)圖1,其為一個(gè)基島1、四只管腳2構(gòu)成,芯片安放到基島1上,塑封后基島1與塑封體結(jié)合氣密性不強(qiáng),在高溫潮濕環(huán)境下,水汽會(huì)侵入塑封體內(nèi)部芯片上,致使芯片表面焊線球氧化,引起脫落或是接觸不良,電性能早期失效。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問(wèn)題,本發(fā)明提供了SOT89-5L封裝引線框架,其增強(qiáng)塑封體的氣密性,提高了性能穩(wěn)定性和可靠性,延長(zhǎng)了器件的使用壽命。
SOT89-5L封裝引線框架,其技術(shù)方案是這樣的:其包括SOT89-5L框架,所述SOT89-5L框架包括一個(gè)基島、四只管腳,其特征在于:所述基島的背面設(shè)置有凹槽。
其進(jìn)一步特征在于:八個(gè)所述凹槽分別排列于所述基島的背面的兩側(cè),所述凹槽靠近所述基島的背面的邊緣布置。
采用本發(fā)明后,由于SOT89-5L框架的基島的背面設(shè)置有凹槽,其使得塑封時(shí)增加了塑封體與基島的接觸面積,從而提高塑封體的密封性能,增強(qiáng)塑封體的氣密性,提高了性能穩(wěn)定性和可靠性,延長(zhǎng)了器件的使用壽命;此外,設(shè)置的凹槽減少了銅材質(zhì),降低制造成本。
附圖說(shuō)明
圖1是現(xiàn)有的SOT89-5L封裝引線框架的背面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明的背面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
見(jiàn)圖2,其包括SOT89-5L框架,?SOT89-5L框架包括一個(gè)基島1、四只管腳2,基島1的背面設(shè)置有凹槽3,八個(gè)凹槽3分別排列于基島1的背面的兩側(cè),凹槽3靠近基島1的背面的邊緣布置。
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