[發(fā)明專利]一種碳晶電地?zé)嵯到y(tǒng)及其在設(shè)施果菜生產(chǎn)中的應(yīng)用無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210273194.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102771346A | 公開(公告)日: | 2012-11-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于賢昌;趙云龍;李衍素;賀超興;閆妍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院蔬菜花卉研究所 |
| 主分類號(hào): | A01G9/26 | 分類號(hào): | A01G9/26;H05B3/20 |
| 代理公司: | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 關(guān)暢 |
| 地址: | 100081 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 碳晶電 地?zé)?/a> 系統(tǒng) 及其 設(shè)施 果菜 生產(chǎn) 中的 應(yīng)用 | ||
1.一種碳晶電地?zé)嵯到y(tǒng),其特征在于:該系統(tǒng)包括至少1個(gè)碳晶電熱板;所述碳晶電熱板的內(nèi)部嵌有導(dǎo)電金屬片,所述金屬片與2條導(dǎo)線相連接;
所述碳晶電地?zé)嵯到y(tǒng)還包括一地溫傳感器,所述地溫傳感器與一溫度控制器相連接,所述溫度控制器與所述2條導(dǎo)線相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳晶電地?zé)嵯到y(tǒng),其特征在于:所述碳晶電熱板為長方體形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳晶電地?zé)嵯到y(tǒng),其特征在于:所述碳晶電熱板的長度為0.5m~3.0m,寬度為10cm~30cm,厚度為0.5mm~3.0mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一所述的碳晶電地?zé)嵯到y(tǒng),其特征在于:所述碳晶電熱板的單面發(fā)熱密度為10W/m2~100W/m2。
5.權(quán)利要求1-4中任一所述碳晶電地?zé)嵯到y(tǒng)在設(shè)施果菜生產(chǎn)中的應(yīng)用。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的應(yīng)用,其特征在于:所述設(shè)施果菜為番茄、黃瓜、辣椒、西葫蘆、茄子、西瓜和甜瓜。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的應(yīng)用,其特征在于:將所述碳晶電地?zé)嵯到y(tǒng)全掩埋于所述設(shè)施果菜的栽培基質(zhì)或土壤中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的應(yīng)用,其特征在于:將所述碳晶電地?zé)嵯到y(tǒng)掩埋于所述設(shè)施果菜的栽培基質(zhì)或土壤表面下1~20cm的深度處。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院蔬菜花卉研究所,未經(jīng)中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院蔬菜花卉研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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