[發(fā)明專利]一種低成本大面積石墨烯透明導(dǎo)電膜制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210273075.8 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102815695A | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許子寒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 許子寒 |
| 主分類號(hào): | C01B31/04 | 分類號(hào): | C01B31/04 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 廣東省深圳市南山區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 低成本 大面積 石墨 透明 導(dǎo)電 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及石墨烯薄膜的制備技術(shù),屬于電子材料的制備領(lǐng)域。
背景技術(shù)
石墨烯材料常溫下電子遷移率超過15000?cm2/V·s,高于單晶硅,而電阻率只約10-6?Ω·cm,為目前世上電阻率最小的材料。并且,石墨烯是一種良好的透明材料。石墨烯的這些特性,使其成為了下一代透明導(dǎo)電薄膜的有力候選者。
目前,石墨烯透明導(dǎo)電膜的生產(chǎn)方法主要有化學(xué)氣相沉積法(CVD),機(jī)械剝離法,碳化硅外延生長(zhǎng)法等。但是,以上方法都面臨著難以大面積制備,或制備成本過高的問題,限制了石墨烯薄膜在透明導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域的應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出了一種使用氧化石墨烯或者石墨烯碎片薄膜做原材料,再使用高溫再結(jié)晶,使碳原子重新排布,使石墨烯(或氧化石墨烯)碎片之間的由范德華力結(jié)合變?yōu)楣矁r(jià)結(jié)合,從而制備任意面積的高質(zhì)量、連續(xù)石墨烯透明導(dǎo)電膜。
本發(fā)明的目的是解決石墨烯透明導(dǎo)電膜難以大面積、大批量生產(chǎn)的問題。
本發(fā)明的另一目的是解決傳統(tǒng)化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯薄膜生長(zhǎng)基底選擇面窄、純度要求高、價(jià)格昂貴的問題。
本發(fā)明的實(shí)施步驟如下:
(1)???????將氧化石墨烯或者石墨烯碎片分散于溶劑中,形成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.01%~10%?的溶液;
(2)???????將溶液液涂覆于襯底上并將溶劑揮發(fā)干,使石墨烯或者氧化石墨烯碎片之間通過范德華力均勻且連續(xù)地附著于襯底上;
(3)???????將步驟2所得到的薄膜置于已經(jīng)將氧分子排凈,并被惰性氣體保護(hù)的腔體中,升溫至500oC~1500oC,保持高溫10分鐘以上,使碎片內(nèi)和碎片邊緣的碳分子在高溫下變得不穩(wěn)定并進(jìn)行重新排布;
(4)???????將步驟3中所得到的石墨烯薄膜快速退火至室溫;
(5)???????將步驟4中所得到的石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移至透明襯底上(Nano?Lett.,?2009,?9?(12),?pp?4359–4363),即得到轉(zhuǎn)移好的大面積透明導(dǎo)電薄膜。
?進(jìn)一步,步驟1中所使用的溶質(zhì)可以是氧化石墨烯碎片、石墨烯碎片、剪開的碳納米管或者以上溶質(zhì)的混合物;所用的溶劑為易通過揮發(fā)去除的液體,具體用于分散溶質(zhì)的溶劑可以是水、液態(tài)二氧化碳、液氨、液態(tài)二氧化硫、水合肼等無機(jī)溶劑,或者二甲基甲酰胺(DMF)、氯苯、二甲苯、甲苯、乙腈、乙醇、四氫呋喃、氯仿、乙酸乙酯、環(huán)己烷、丁酮、丙酮、石油醚、二甲基亞砜、六甲基磷酰胺、N-甲基吡咯烷酮、苯、環(huán)己酮、丁酮、環(huán)己酮、二氯苯、吡啶、乙酸、二氧六環(huán)、乙二醇單甲醚、1,2-二氯乙烷、乙醚、正辛烷等常用有機(jī)溶劑,或者上述溶劑的兩種或者多種混合物。
進(jìn)一步,將溶液涂覆于襯底上的方式可以選擇旋涂、輥涂、噴淋、涂布、溶液中浸泡后提拉等方式。所用的襯底可以選擇金屬箔、合金箔或者硅片、玻璃、石英、氧化鋁等任意可耐500oC以上高溫的材料。
進(jìn)一步,步驟3中薄膜可以處于封閉也可處于開放腔體中,但是所處的環(huán)境中的氧分子要充分排除,并用惰性氣體保護(hù),防治薄膜被氧化。所用的惰性氣體可以是氮?dú)?、氬氣、氦氣、氖氣等惰性氣體。石墨烯或者氧化石墨烯碎片邊緣的碳原子在高溫下會(huì)變得不穩(wěn)定,并完成碎片間的共價(jià)結(jié)合。步驟3中所使用的溫度取決于所使用的襯底能承受的最高溫度,但是要低于1500oC。
進(jìn)一步,步驟4中快速降溫降溫速度要大于每分鐘200oC。
附圖說明
圖1是石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移至玻璃上之后的Raman?光譜圖。
具體實(shí)施方式
?以下使用實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的闡述,但并不因此將本發(fā)明局限于下述實(shí)施例范圍內(nèi)。
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