[發(fā)明專利]基板交接方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210272877.7 | 申請日: | 2012-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN102915944A | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | 志村昭彥 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 交接 方法 | ||
1.一種基板交接方法,其對于設置在對具有可撓性的基板進行等離子體處理的處理腔室內(nèi)的、具備通過靜電吸附來吸附所述基板的靜電吸盤的載置臺,交接所述基板,所述基板交接方法的特征在于:
所述載置臺包括:
載置所述基板的基板載置面;
第一升降銷,其能夠相對于該基板載置面突出和縮回并且支承所述基板的周緣部;和
第二升降銷,其能夠相對于所述基板載置面突出和縮回并且支承所述基板的中央部,
所述基板交接方法包括:
基板載置工序,在所述基板載置面的上方,使由所述第一升降銷和位于比所述第一升降銷低的位置的第二升降銷支承的所述基板下降,從所述基板的中央部將該基板載置到所述基板載置面;
利用所述靜電吸盤吸附載置在所述基板載置面的所述基板,對所述基板進行等離子體處理的工序;和
基板脫離工序,在所述等離子體處理結(jié)束后,解除所述靜電吸盤的吸附,使所述第一升降銷與所述第二升降銷為相同高度支承所述基板,使所述基板從所述基板載置面脫離。
2.如權利要求1所述的基板交接方法,其特征在于:
所述基板脫離工序,使所述第一升降銷和所述第二升降銷為相同高度,使具有所述可撓性的所述基板在多個部位向下突出地彎曲,使所述基板從所述基板載置面脫離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





