[發明專利]導電玻璃、其制備方法和應用有效
| 申請號： | 201210272588.7 | 申請日： | 2012-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN103570254A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發明（設計）人： | 董清世;吳振輝;陳曦;李曉東;吳堅;李磊;王潤 | 申請（專利權）人： | 信義光伏產業（安徽）控股有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/34 | 分類號： | C03C17/34;B32B17/06 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人： | 張全文 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖市*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 導電 玻璃 制備 方法 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種導電玻璃，包括依次層疊的玻璃基底層、鈉離子阻擋層和導電膜層，其特征在于，還包括增透層，所述增透層層疊于所述導電膜層之上。
2.如權利要求1所述的導電玻璃，其特征在于，所述增透層為二氧化硅薄膜或氟化鎂薄膜。
3.如權利要求1所述的導電玻璃，其特征在于，所述增透層的厚度為30～90納米，可見光折射率為1.35～1.5。
4.如權利要求1所述的導電玻璃，其特征在于，所述鈉離子阻擋層為SiNxOy化合物膜層，其中0.7<x<1.2，0.25＜y<1。
5.如權利要求1所述的導電玻璃，其特征在于，所述鈉離子阻擋層的厚度為50～90納米，可見光折射率為1.6～1.8。
6.如權利要求1所述的導電玻璃，其特征在于，所述導電膜層的厚度為200～400納米。
7.如權利要求1所述的導電玻璃，其特征在于，所述導電膜為氧化鋅膜、ITO膜或FTO膜。
8.如權利要求1～7任一項所述的導電玻璃制備方法，包括如下步驟：
提供所述玻璃基底層；
通過磁控濺射在所述玻璃基底層上形成鈉離子阻擋層；
通過磁控濺射在所述鈉離子阻擋層上形成導電膜層；
通過磁控濺射在所述導電膜層上形成增透層，得到導電玻璃。
9.如權利要求1～7任一項所述的導電玻璃在太陽能電池、觸摸屏、液晶顯示器件或照明器件中的應用。
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