[發(fā)明專利]立體線路結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210272433.3
• 申請日: 2012-08-01
• 公開（公告）號: CN103167725A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 藍緯洲;辛哲宏;王裕霖;葉佳俊
• 申請（專利權(quán)）人: 元太科技工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H01L23/538;H01L29/772
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種立體線路結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括：

一基材，具有一上表面以及一位在該上表面的凹槽；

一第一導(dǎo)電層，覆蓋該凹槽的內(nèi)壁，且突出于該上表面；

一填充材料，填滿該凹槽，且覆蓋該第一導(dǎo)電層；以及

一第二導(dǎo)電層，覆蓋該填充材料與部分該第一導(dǎo)電層，其中該第一導(dǎo)電層結(jié)合該第二導(dǎo)電層包覆該填充材料，且該填充材料的材質(zhì)不同于該第一導(dǎo)電層材質(zhì)與該第二導(dǎo)電層的材質(zhì)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的立體線路結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該基材的材質(zhì)包括有機材料或無機材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的立體線路結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該凹槽的深度是該基材厚度的1/10至1/2。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的立體線路結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該填充材料包括有機材料、高分子材料或含有多個金屬顆粒或多個非金屬顆粒的高分子材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的立體線路結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述金屬顆粒的材質(zhì)包括銀，而所述非金屬顆粒的材質(zhì)包括碳。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的立體線路結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第一導(dǎo)電層的材質(zhì)與該第二導(dǎo)電層的材質(zhì)包括金屬或合金。

7.一種半導(dǎo)體元件，配置于一基板上，其特征在于該半導(dǎo)體元件包括：

一基材，具有一上表面以及一位在該上表面的凹槽；

一第一導(dǎo)電層，具有一配置于該基材的部分該上表面上的第一導(dǎo)電部以及一覆蓋該凹槽的內(nèi)壁的第二導(dǎo)電部；

一填充材料，填滿該凹槽，且覆蓋該第二導(dǎo)電部；

一第二導(dǎo)電層，具有一覆蓋該第一導(dǎo)電部的第三導(dǎo)電部以及一覆蓋該填充材料與部分該第二導(dǎo)電部的第四導(dǎo)電部，其中該第一導(dǎo)電部與該第三導(dǎo)電部構(gòu)成一柵極，而該第二導(dǎo)電部、該填充材料以及該第四導(dǎo)電部構(gòu)成一立體線路，且該立體線路與該柵極相連接；

一閘絕緣層，覆蓋該立體線路與該柵極；

一半導(dǎo)體層，配置于該閘絕緣層上；

一漏極，配置于該半導(dǎo)體層上；以及

一源極，配置于該半導(dǎo)體層上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中該基材的材質(zhì)包括有機材料或無機材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中該凹槽的深度是該基材厚度的1/10至1/2。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中該填充材料包括有機材料、高分子材料或含有多個金屬顆粒或多個非金屬顆粒的高分子材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述金屬顆粒的材質(zhì)包括銀，而所述非金屬顆粒的材質(zhì)包括碳。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中該第一導(dǎo)電層的材質(zhì)與該第二導(dǎo)電層的材質(zhì)包括金屬或合金。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件,其特征在于其還包括一保護層，配置于該基材上，并覆蓋該半導(dǎo)體層、該漏極與該源極，其中該保護層暴露出部分該漏極。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其還包括一像素電極，配置于該基材上，并連接該保護層所暴露出的部分該漏極。