[發明專利]壓電薄膜諧振器及其制造方法

有效

• 申請號: 201210272191.8
• 申請日: 2012-08-01
• 公開（公告）號: CN102916673A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 上田政則;谷口真司;西原時弘
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H3/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;王伶

1.一種壓電薄膜諧振器，該壓電薄膜諧振器包括：

下電極，其設置在基板上；

壓電膜，其設置在所述下電極上并且包括至少兩層；

上電極，其設置在所述壓電膜上，并且具有與所述下電極一起夾著所述壓電膜且面對所述下電極的區域；以及

絕緣膜，其設置在所述至少兩層的各層之間并且在所述下電極和所述上電極彼此面對的區域中，

其中，所述絕緣膜的上表面比所述絕緣膜的下表面平坦。

2.根據權利要求1所述的壓電薄膜諧振器，其中，所述絕緣膜的上表面的RMS值比所述絕緣膜的下表面的RMS值小30%以上。

3.根據權利要求1或2所述的壓電薄膜諧振器，其中，

所述壓電膜具有兩層的結構；并且

所述絕緣膜是設置在所述壓電膜的兩層之間的單層。

4.根據權利要求1或2所述的壓電薄膜諧振器，其中，所述絕緣膜是主要成分為氧化硅的絕緣膜。

5.根據權利要求1或2所述的壓電薄膜諧振器，其中，所述壓電膜是氮化鋁或摻雜了的氮化鋁。

6.一種用于制造壓電薄膜諧振器的方法，該方法包括以下步驟：

在基板上形成下電極；

在所述下電極上形成第一壓電膜；

在所述第一壓電膜上形成絕緣膜；

使所述絕緣膜的上表面平坦化；

在上表面被平坦化了的所述絕緣膜上形成第二壓電膜；以及

在所述第二壓電膜上形成具有與所述下電極一起夾著所述第一壓電膜、所述絕緣膜和所述第二壓電膜并且面對所述下電極的區域的上電極。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，在不破壞真空的情況下在單個真空設備中連續地執行所述第一壓電膜的形成、所述絕緣膜的形成、所述絕緣膜的上表面的平坦化和所述第二壓電膜的形成。

8.根據權利要求6或7所述的方法，其中，使所述絕緣膜的上表面平坦化是利用惰性氣體等離子體來執行的。

9.根據權利要求6或7所述的方法，該方法還包括：使所述第一壓電膜的上表面平坦化，

其中，形成所述絕緣膜的步驟包括在上表面被平坦化了的所述第一壓電膜上形成所述絕緣膜。