[發明專利]一種基于電諧振的太赫茲雙頻帶超材料有效
| 申請號： | 201210272158.5 | 申請日： | 2012-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN102800986A | 公開（公告）日： | 2012-11-28 |
| 發明（設計）人： | 賀連星;孫曉瑋;郭萬易;李彪;滕騰;孫浩;張祁蓮 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01Q15/00 | 分類號： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人： | 宋纓;孫健 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 諧振 赫茲 雙頻 材料 | ||
1.一種基于電諧振的太赫茲雙頻帶超材料，包括襯底（1）和金屬層單元（2），其特征在于，所述金屬層單元（2）上設有電磁諧振單元（3）；所述電磁諧振單元（3）包括兩個開口諧振環和一個閉合環；所述閉合環位于兩個開口諧振環之間；所述金屬層單元（2）以周期性陣列的方式鋪設在所述襯底（1）上。
2.根據權利要求1所述的基于電諧振的太赫茲雙頻帶超材料，其特征在于，所述閉合環與兩個開口諧振環之間的間距相等。
3.根據權利要求1所述的基于電諧振的太赫茲雙頻帶超材料，其特征在于，所述金屬層單元（2）根據所述超材料特性和特征頻率以周期性陣列的方式鋪設在所述襯底（1）上。
4.根據權利要求2所述的基于電諧振的太赫茲雙頻帶超材料，其特征在于，所述閉合環與兩個開口諧振環之間的間距為3-50μm。
5.根據權利要求1所述的基于電諧振的太赫茲雙頻帶超材料，其特征在于，所述金屬層單元（2）由上而下依次為金層、鉑層和鈦層。
6.根據權利要求5所述的基于電諧振的太赫茲雙頻帶超材料，其特征在于，所述金層的厚度為100-500nm、鉑層的厚度為5-50nm、鈦層的厚度為5-50nm。
7.根據權利要求1所述的基于電諧振的太赫茲雙頻帶超材料，其特征在于，所述襯底（1）采用厚度為200-1000μm的砷化鎵材料制成，有效介電常數為12.9，損耗角正切為0.006。
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