[發明專利]擴散后單晶硅片次品返工方法有效
| 申請號： | 201210271684.X | 申請日： | 2012-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN102768952A | 公開（公告）日： | 2012-11-07 |
| 發明（設計）人： | 吳艷芬;詹國平;陳筑;劉曉巍;劉偉;徐曉群 | 申請（專利權）人： | 寧波尤利卡太陽能科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 寧波市鄞州甬致專利代理事務所(普通合伙) 33228 | 代理人： | 代忠炯 |
| 地址： | 315177 浙江省寧*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 擴散 單晶硅 次品 返工 方法 | ||
1.一種擴散后單晶硅片次品返工方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）將擴散后的次品放入氫氟酸溶液中浸泡4～10min，去除擴散過程中形成的磷硅玻璃層，其中氫氟酸溶液中氫氟酸與水的體積比為1:4～10；
（2）將步驟（1）浸泡后的硅片用去離子水清洗，去除硅片表面殘留的氫氟酸；
（3）將步驟（2）清洗后的硅片放入NaOH溶液中浸泡2min～5min，其中NaOH溶液的質量百分比濃度為2%～10%，NaOH溶液的溫度為60℃～80℃，以去除硅的表面擴散層；
（4）將步驟（3）浸泡后的硅片用H2O2溶液將硅片清洗干凈，H2O2溶液中H2O2與水的體積比為1：4～10。
2.根據權利要求1所述的擴散后單晶硅片次品返工方法，其特征在于：步驟（1）中氫氟酸與水的體積比為1:5。
3.根據權利要求1所述的擴散后單晶硅片次品返工方法，其特征在于：步驟（1）中的浸泡時間為6min。
4.根據權利要求1所述的擴散后單晶硅片次品返工方法，其特征在于：步驟（3）中NaOH溶液的質量濃度為5%。
5.根據權利要求1所述的擴散后單晶硅片次品返工方法，其特征在于：步驟（3）中NaOH溶液的溫度為80℃。
6.根據權利要求1所述的擴散后單晶硅片次品返工方法，其特征在于：步驟（3）中浸泡時間為2.5min。
7.根據權利要求1所述的擴散后單晶硅片次品返工方法，其特征在于：步驟（4）中的H2O2與水的體積比為1:6。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
