[發明專利]半導體結構及其制造工藝

有效

• 申請號: 201210271527.9
• 申請日: 2012-08-01
• 公開（公告）號: CN103579149A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 郭志明;何榮華;張世杰;黃家曄;謝慶堂
• 申請（專利權）人: 頎邦科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種半導體結構，其特征在于其至少包含：

一個載體，其具有一個表面及多個形成于該表面上的凸塊下金屬層；以及

多個混成凸塊，其形成于所述凸塊下金屬層上，各該混成凸塊具有芯部及接合部，該芯部具有頂面，該接合部包含有第一接合層及第二接合層，該第一接合層形成于該芯部的該頂面及該凸塊下金屬層上，其中該第一接合層具有基底部、凸出部及容置空間，該基底部具有上表面，該凸出部凸出于該上表面，且該凸出部位于該芯部上方，該容置空間位于該凸出部外側，該第二接合層覆蓋該凸出部及該上表面且填充于該容置空間中。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于各該基底部具有側壁，所述第二接合層覆蓋所述側壁。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于各該芯部具有第一芯層及第二芯層，該第一芯層具有第一厚度，該第二芯層具有第二厚度，該第一厚度大于該第二厚度。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于各該基底部具有第一高度，各該第二接合層具有第二高度，各該第一高度不小于各該第二高度。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于所述的凸塊下金屬層的材質選自于鈦/銅或鈦鎢/銅。

6.根據權利要求3項所述的半導體結構，其特征在于該第一芯層的材質為銅，該第二芯層的材質為鎳。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于所述的第一接合層的材質選自于銅或金。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于所述的第二接合層的材質為焊料。

9.一種如權利要求1至8任一權利要求所述半導體結構的制造工藝，其特征在于其至少包含以下步驟：

提供載體，該載體具有一個表面及形成于該表面上的金屬層，該金屬層具有多個第一區及多個位于該第一區外側的第二區；

形成第一光刻膠層于該金屬層，該第一光刻膠層具有多個第一開口；

形成多個芯部于所述第一開口中；

移除該第一光刻膠層以顯露出所述芯部，各該芯部具有頂面；

形成第二光刻膠層于該金屬層上，該第二光刻膠層具有多個第二開口且所述第二開口顯露所述芯部的所述頂面；

形成多個接合部于所述第二開口中，各該接合部包含有第一接合層及第二接合層，各該第一接合層形成于各該芯部的該頂面及該金屬層上，使各該接合部連接各該芯部以形成混成凸塊，其中各該第一接合層具有基底部、凸出部及容置空間，各該基底部具有上表面，各該凸出部凸出于該上表面，且各該凸出部位于各該芯部上方，各該容置空間位于各該凸出部外側，所述第二接合層覆蓋所述凸出部及所述上表面且填充于所述容置空間中；

移除該第二光刻膠層以顯露出所述混成凸塊；以及

移除該金屬層的所述第二區，以使該金屬層的所述第一區形成多個凸塊下金屬層。

10.根據權利要求9所述的半導體結構的制造工藝，其特征在于其還包含有回焊所述第二接合層的步驟，且各該基底部具有側壁，所述第二接合層覆蓋所述側壁。

11.根據權利要求9所述的半導體結構的制造工藝，其特征在于各該芯部具有第一芯層及第二芯層，該第一芯層具有第一厚度，該第二芯層具有第二厚度，該第一厚度大于該第二厚度。

12.根據權利要求9所述的半導體結構的制造工藝，其特征在于各該基底部具有第一高度，各該第二接合層具有第二高度，各該第一高度不小于各該第二高度。

13.根據權利要求9所述的半導體結構的制造工藝，其特征在于所述凸塊下金屬層的材質選自于鈦/銅或鈦鎢/銅。

14.根據權利要求11所述的半導體結構的制造工藝，其特征在于該第一芯層的材質為銅，該第二芯層的材質為鎳。

15.根據權利要求9所述的半導體結構的制造工藝，其特征在于所述第一接合層的材質選自于銅或金。

16.根據權利要求9所述的半導體結構的制造工藝，其特征在于所述第二接合層的材質為焊料。