[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置與用于制造半導(dǎo)體裝置的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210271486.3
• 申請(qǐng)日: 2010-06-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102751295A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山崎舜平;坂田淳一郎;三宅博之;桑原秀明;高橋辰也
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/45
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 陳華成

1.一種顯示裝置，包括：

在襯底之上的像素部分；以及

在所述襯底之上的驅(qū)動(dòng)器電路，所述驅(qū)動(dòng)器電路包括：

柵極電極層；

在所述柵極電極層之上的柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層之上的氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層與所述柵極電極層交疊；

在所述氧化物半導(dǎo)體層之上的無(wú)機(jī)絕緣層；

在所述無(wú)機(jī)絕緣層之上的有機(jī)絕緣層；以及

在所述有機(jī)絕緣層之上的透光導(dǎo)電層，所述透光導(dǎo)電層與所述氧化物半導(dǎo)體層交疊。

2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中向所述透光導(dǎo)電層施加固定的電位。

3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中向所述透光導(dǎo)電層施加地電位。

4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體層包含In、Ga、Zn和O。

5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述無(wú)機(jī)絕緣層是氮氧化硅膜。

6.如權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)器電路還包括在所述無(wú)機(jī)絕緣層和所述有機(jī)絕緣層之間的氮化硅膜。

7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述有機(jī)絕緣層包括丙烯酸。

8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述像素部分包括電致發(fā)光元件。

9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述像素部分包括液晶元件。

10.一種顯示裝置，包括：

在襯底之上的像素部分的晶體管的柵極電極層；

在所述襯底之上的驅(qū)動(dòng)器電路的晶體管的柵極電極層；

在所述像素部分的晶體管的柵極電極層和所述驅(qū)動(dòng)器電路的晶體管的柵極電極層之上的柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層之上的第一氧化物半導(dǎo)體層，所述第一氧化物半導(dǎo)體層與所述像素部分的晶體管的柵極電極層交疊；

在所述柵極絕緣層之上的第二氧化物半導(dǎo)體層，所述第二氧化物半導(dǎo)體層與所述驅(qū)動(dòng)器電路的晶體管的柵極電極層交疊；

在所述第一氧化物半導(dǎo)體層和所述第二氧化物半導(dǎo)體層之上的無(wú)機(jī)絕緣層；

在所述無(wú)機(jī)絕緣層之上的有機(jī)絕緣層；以及

在所述有機(jī)絕緣層之上的透光導(dǎo)電層，所述透光導(dǎo)電層與所述第二氧化物半導(dǎo)體層交疊；以及

在所述有機(jī)絕緣層之上的像素電極層，所述像素電極層電連接到所述第一氧化物半導(dǎo)體層，

其中所述像素電極層被配置為透射光。

11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中向所述透光導(dǎo)電層施加固定的電位。

12.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中向所述透光導(dǎo)電層施加地電位。

13.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中所述第一氧化物半導(dǎo)體層和所述第二氧化物半導(dǎo)體層均包含In、Ga、Zn和O。

14.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中所述無(wú)機(jī)絕緣層是氮氧化硅膜。

15.如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，還包括在所述無(wú)機(jī)絕緣層和所述有機(jī)絕緣層之間的氮化硅膜。

16.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中所述有機(jī)絕緣層包括丙烯酸。

17.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，還包括電致發(fā)光元件。

18.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，還包括液晶元件。

19.一種顯示裝置，包括：

在襯底之上的像素部分；以及

在所述襯底之上的驅(qū)動(dòng)器電路，所述驅(qū)動(dòng)器電路包括：

柵極電極層；

在所述柵極電極層之上的柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層之上的氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層與所述柵極電極層交疊；

在所述氧化物半導(dǎo)體層之上的源極電極層；

在所述氧化物半導(dǎo)體層之上的漏極電極層；

在所述源極電極層和所述漏極電極層之上的無(wú)機(jī)絕緣層，所述無(wú)機(jī)絕緣層與所述源極電極層和所述漏極電極層之間的氧化物半導(dǎo)體層接觸；

在所述無(wú)機(jī)絕緣層之上的有機(jī)絕緣層；

在所述有機(jī)絕緣層之上的透光導(dǎo)電層，所述透光導(dǎo)電層與所述氧化物半導(dǎo)體層交疊。

20.如權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中向所述透光導(dǎo)電層施加固定的電位。