[發(fā)明專利]垂直發(fā)光二極管及其制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210270724.9
• 申請(qǐng)日: 2012-08-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102751411A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘群峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/14
• 分類號(hào): H01L33/14;H01L33/00;B23K26/36
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.垂直發(fā)光二極管，包括：

永久基板；

p型GaN基外延層，位于所述永久基板之上；

發(fā)光層，位于所述p型GaN基外延層之上；

中間層，位于所述發(fā)光層之上，其材料為Al_xIn_yGa_(1-x-y)N（0≤x<1,?0≤y<1），禁帶寬度介于GaN與發(fā)光層之間；

n型GaN基外延層，位于所述中間層之上；

n電極，位于n型GaN基外延層之上；

空隙結(jié)構(gòu)，形成于所述n型GaN基外延層與所述中間層之間，并且在垂直投影面上的位置與n電極對(duì)應(yīng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直發(fā)光二極管，其特征在于：所述中間層的導(dǎo)電性為n型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直發(fā)光二極管，其特征在于：所述空隙結(jié)構(gòu)通過(guò)中間層材料熱分解形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直發(fā)光二極管，其特征在于：所述永久基板材料選自硅、銅、鎳、鈷、鉬、陶瓷、藍(lán)寶石、氮化鎵或其組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直發(fā)光二極管，其特征在于：所述空隙結(jié)構(gòu)在垂直投影面上的位置和大小與n電極相當(dāng)或相同。

6.垂直發(fā)光二極管的制作方法，包括步驟：

1）在一永久基板上形成外延層，其至上而下包括n型GaN基外延層、中間層、發(fā)光層和p型GaN基外延層，并且所述中間層材料為Al_xIn_yGa_(1-x-y)N（0≤x<1,?0≤y<1），且其禁帶寬度介于GaN與發(fā)光層之間；?

2）采用激光照射部分n型GaN基外延層，激光照射造成輻照區(qū)的中間層表層熱分解，在n型GaN基外延層與發(fā)光層之間形成空隙結(jié)構(gòu)；

3）在n型GaN基外延層上制作n電極，其在垂直投影面的位置與空隙結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的垂直發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟1）包括：提供臨時(shí)襯底，在其上依次外延生長(zhǎng)n型GaN基外延層、發(fā)光層和p型GaN基外延層；提供永久基板，將其與上述外延層粘結(jié)鍵合；去除臨時(shí)襯底，并暴露出n型GaN基外延層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的垂直發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述步驟2）包括：在n型GaN基外延層之上定義輻照區(qū)，采用激光照射輻照區(qū)，激光光子能量介于GaN與中間層禁帶寬度之間，激光照射造成輻照區(qū)的中間層表層熱分解，并在n型GaN基外延層和中間層形成空隙結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的垂直發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述n電極在垂直投影面的位置及大小與輻照區(qū)相當(dāng)或者相同。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的垂直發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于：所述永久基板材料選自硅、銅、鎳、鈷、鉬、陶瓷、藍(lán)寶石、氮化鎵或其組合。