[發明專利]電流檢測電路

無效

• 申請號: 201210270694.1
• 申請日: 2012-07-31
• 公開（公告）號: CN102768300A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 肖飛;鄭辰光;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 圣邦微電子（北京）股份有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;李志剛

1.一種電流檢測電路，其特征在于，包括：

柵極驅動電路，用于輸出柵極驅動電壓；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的柵極與所述柵極驅動電路連接；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極連接；

第一電阻，所述第一電阻的第一端與所述第二NMOS管的漏極連接，所述第一電阻的第二端分別與所述第一NMOS管的漏極和電源電壓連接；

第二電阻，所述第二電阻的第一端與所述第一NMOS管的漏極連接；

比較器，所述比較器的第一輸入端與所述第二NMOS管的漏極連接，所述比較器的第二輸入端與所述第二電阻的第二端連接；

恒流源，所述恒流源的第一端與所述比較器的第二輸入端連接，所述恒流源的第二輸入端接地；以及

調整器件，所述調整器件的第一端與所述第一NMOS管的柵極連接，所述調整器件的第二端與所述第二電阻連接，所述調整器件的第三端與所述第一NMOS管的漏極和所述電源電壓連接，用于根據所述第一NMOS管所處的不同工作區域進行調整以使得所述第一NMOS管處在不同工作區域時芯片的過流閾值相等，其中，所述不同區域包括飽和區和線性區。

2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述調整器件包括：

第三NMOS管，所述第三NMOS管的柵極與所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的漏極與所述電源電壓連接，所述第三NMOS管的源級與所述第二電阻的第二端連接。

3.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述第三NMOS管的導通電阻為所述第二NMOS管的導通電阻的m倍，所述第二電阻的阻值為所述第一電阻的阻值的m倍，所述第一NMOS管的導通電阻為所述第二NMOS管的導通電阻的l/n，其中，m為自然數，n為所述第一NMOS管的W/L與所述第二NMOS管的W/L的比，W代表NMOS管的寬，L代表NMOS管的長。

4.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述比較器的第一輸入端為負極，所述比較器的第二輸入端為正極。

5.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述比較器的第一輸入端為正極，所述比較器的第二輸入端為負極。

6.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，還包括：

控制器件，與所述比較器的輸出端連接，用于根據比較器輸出端的輸出電平控制芯片的其它電路執行相應的動作。

7.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，還包括：

負載電路，與所述第一NMOS管的源極連接。