[發(fā)明專利]制造化合物半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210270691.8
• 申請日: 2012-07-31
• 公開（公告）號: CN103035522A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 美濃浦優(yōu)一;岡本直哉;吉川俊英;牧山剛?cè)?/a>;多木俊裕
• 申請（專利權(quán)）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L29/778
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;吳鵬章

1.一種用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在化合物半導(dǎo)體層上形成絕緣膜；

通過干蝕刻使所述絕緣膜的預(yù)定部分變薄；以及

通過濕蝕刻穿透所述絕緣膜的變薄的預(yù)定部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中，

所述干蝕刻使用包含氟的蝕刻氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中，

在氟被引入到所述化合物半導(dǎo)體層中的蝕刻條件下進行所述干蝕刻。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中，

所述干蝕刻使所述絕緣膜的所述預(yù)定部分的厚度變薄至4nm至50nm的范圍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中，

所述絕緣膜是選自氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧化鋁和氮化鋁中的一種的單層膜，或者是具有選自氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧化鋁和氮化鋁中的任何兩種或更多種的層的層疊膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，還包括：

在所述絕緣膜中被穿透的預(yù)定部分中形成電極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中，

所述電極是柵電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中，

所述電極是陽極。

9.一種化合物半導(dǎo)體器件，包括：

化合物半導(dǎo)體層；

形成在所述化合物半導(dǎo)體層上并且具有通孔的絕緣膜；以及

形成在所述通孔中的電極，其中，

所述化合物半導(dǎo)體層在所述電極之下的部分中具有含有氟的含氟區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中，

所述絕緣膜是選自氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧化鋁和氮化鋁中的一種的單層膜，或者是具有選自氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧化鋁和氮化鋁中的任何兩種或更多種的層的層疊膜。