[發明專利]用于雙重圖案化設計的掩模處理

在審

• 申請號: 201210270656.6
• 申請日: 2012-07-31
• 公開（公告）號: CN103367119A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 楊景峰;陳啟平;陳殿豪
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：

在第一掩模層中形成第一圖案；

對所述第一掩模層實施平滑工藝，所述平滑工藝圓化所述第一掩模層的邊角；以及

采用所述第一掩模層作為掩模圖案化下層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述第一掩模層包括：

在第二掩模中形成第二圖案；

將所述第二圖案轉印到所述第一掩模層；

在第三掩模中形成第三圖案；以及

將所述第三圖案轉印到所述第一掩模層，所述第一圖案是所述第二圖案與所述第三圖案的組合。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述平滑工藝包括各向同性干法等離子體蝕刻。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述各向同性干法等離子體蝕刻采用一種或多種惰性氣體。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，所述各向同性干法等離子體蝕刻包括O₂等離子體蝕刻、N₂等離子體蝕刻、CO等離子體蝕刻、CO₂等離子體蝕刻、N₂/H₂等離子體蝕刻或氬氣等離子體蝕刻。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述平滑工藝包括各向同性濕蝕刻。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述平滑工藝包括沉積共形膜以及對所述共形膜實施各向異性蝕刻工藝。

8.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：

在掩模層中形成第一圖案；

在所述掩模層中形成第二圖案，所述第一圖案和所述第二圖案的組合圖案包括部分所述第一圖案和部分所述第二圖案之間的一個或多個邊角；

圓化所述一個或多個邊角，從而產生圓化圖案；以及

將所述圓化圖案轉印到下層。

9.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：

提供具有上覆的第一掩模層的襯底；

采用多次曝光在所述第一掩模層中形成圖案，所述圖案具有一個或多個尖邊角；

處理所述圖案以圓化所述一個或多個尖邊角，從而形成圓化圖案；以及

采用所述圓化圖案作為掩模蝕刻所述襯底，所述圓化圖案包括所述第一掩模層的剩余部分。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述形成圖案包括采用第一光刻和蝕刻工藝將第一部分圖案轉印到所述第一掩模層，以及采用第二光刻和蝕刻工藝將第二部分圖案轉印到所述第一掩模層，所述一個或多個尖邊角由所述第一部分圖案和所述第二部分圖案相交產生的。