[發明專利]凹版和使用該凹版的帶有導體層圖形的基材

有效

• 申請號: 201210270651.3
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN102765218A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 直之進;上原壽茂;登坂實;鈴木恭介;岡村壽郎;菊原得仁;根岸正實;藤枝忠恭;津山宏一
• 申請（專利權）人: 日立化成工業株式會社
• 主分類號: B32B3/14
• 分類號: B32B3/14;B32B9/04;B41C1/00;B41N1/06;B41N1/12;C25D1/00;C25D5/02;H05K9/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種凹版的制造方法，其特征在于，包括：

（i）在基材的表面形成可除去的凸狀圖形的工序，

（ii）在形成有可除去的凸狀圖形的基材的表面上，形成絕緣層的工序，

（iii）除去附著有絕緣層的凸狀圖形的工序。

2.根據權利要求1所述的凹版的制造方法，其中，所述凸狀圖形作為平面形狀為幾何圖形或者描繪幾何圖形。

3.根據權利要求1或2所述的凹版的制造方法，其中，所述基材為導電性。

4.根據權利要求1所述的凹版的制造方法，其中，所述凸狀圖形為通過使用感光性抗蝕劑的照相平版法來形成的圖形。

5.根據權利要求1所述的凹版的制造方法，其中，在所述基材上和所述凸狀圖形的側面上形成有性質或者特性不同的絕緣層。

6.根據權利要求5中所述的凹版的制造方法，其中，從凸狀圖形的側面（作為相對于基材的垂直面）到在所述基材上形成的絕緣層和在所述凸狀圖形的側面上形成的絕緣層的界面的距離為，朝凸狀圖形的站立方向不變小，而作為整體變大。

7.根據權利要求6所述的凹版的制造方法，其中，所述界面的角度相對于所述基材形成為30度以上且不到90度。

8.根據權利要求6或7所述的凹版的制造方法，其中，所述界面的角度相對于所述基材形成為30度以上且80度以下。

9.根據權利要求1所述的凹版的制造方法，其中，所述凸部的圖形形狀為寬1～40μm、間隔50～1000μm、高1～30μm，并由其描繪幾何圖形的形狀。

10.根據權利要求1所述的凹版的制造方法，其中，所述絕緣層為含有類金剛石或無機材料的層。

11.根據權利要求10所述的凹版的制造方法，其中，所述無機材料為Al₂O₃或者SiO₂。

12.根據權利要求10所述的凹版的制造方法，其中，所述絕緣層由類金剛石形成。

13.根據權利要求12所述的凹版的制造方法，其中，形成在所述基材上的類金剛石層的硬度比形成在所述凸狀圖形的側面上的類金剛石層的硬度大。

14.根據權利要求12或13所述的凹版的制造方法，其中，在所述基材上形成的類金剛石層的硬度為10～40GPa，在所述凸狀圖形的側面上形成的類金剛石層的硬度為1～15GPa。

15.根據權利要求12所述的凹版的制造方法，其中，所述DLC層是由真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法、電弧放電法、離子化蒸鍍法或者等離子CVD法形成。

16.根據權利要求15所述的凹版的制造方法，其中，所述DLC層是由等離子CVD法形成。

17.根據權利要求1所述的凹版的制造方法，其中，在進行在形成有所述凸狀圖形的基材的表面上形成絕緣層的工序之前，進行在形成有凸狀圖形的基材的表面上形成中間層的工序。

18.根據權利要求17所述的凹版的制造方法，其中，所述中間層含有Ti、Cr、W、Si、或者它們的氮化物或碳化物中的任何1種以上。

19.根據權利要求1所述的凹版的制造方法，其中，所述絕緣層的厚度為0.5～20μm。

20.一種凹版的制造方法，其特征在于，包括：

（i）在基材的表面形成絕緣層的工序，

（ii）在所述絕緣層上用激光形成朝開口方向寬度變寬的凹部的工序。

21.根據權利要求20所述的凹版的制造方法，其中，所述基材為導電性。

22.根據權利要求20或21所述的凹版的制造方法，其中，所述激光為飛秒激光。

23.一種圖形化金屬箔的制造方法，其特征在于，在凹版的凹部通過鍍覆沉積金屬，

所述凹版具有基材和位于該基材表面的絕緣層，在該絕緣層上形成有朝開口方向寬度變寬的所述凹部，所述凹部是用于形成鍍層的部分。

24.根據權利要求22所述的圖形化金屬箔的制造方法，其中，使所述金屬沉積后，剝離所沉積的金屬。