[發明專利]一種有近紅外熒光特性的兩親性嵌段聚合物的合成方法

有效

• 申請號: 201210270478.7
• 申請日: 2012-08-01
• 公開（公告）號: CN103254371A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 朱秀林;韓冰;周年琛;程振平;朱健;張正彪;張偉;潘向強
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: C08F293/00
• 分類號: C08F293/00;C08F220/54;C08F212/32;C09K11/06
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 曹毅

1.?一種具有近紅外熒光特性的兩親性嵌段聚合物的合成方法，采用RAFT合成方法制備具有近紅外熒光性能兩親性嵌段聚合物?PNIPAM-b-PVDHBI，所述聚合物的結構式為：

???????????????????????????????????????????????????????

所述兩親性嵌段聚合物?PNIPAM-b-PVDHBI的分子量分布(M_w/M_n?)在1.4以下，具體包括以下步驟：

步驟1）通過鄰苯二胺和萘甲酸的固相反應合成2-苯并咪唑基-β-萘(VNBI)?中間體，再用對氯甲基苯乙烯(VBC)和VNBI反應得到單體1-(4-乙烯基芐基)-2-苯并咪唑基-β-萘（VDHBI）；

步驟2）以NIPAM為單體，以CPDN為RAFT試劑，通過RAFT活性自由基聚合方法獲得均聚物PNIPAM；

步驟3）以PNIPAM為大分子RAFT試劑，以VDHBI為第二單體進行RAFT聚合，合成上述兩親性嵌段聚合物PNIPAM-b-PVDHBI。

2.步驟（1）、（2）、（3）的合成反應式：

根據權利要求1所述的有近紅外熒光特性的兩親性嵌段聚合物的合成方法，其特征在于：所述步驟（1）中的所述中間體VNBI是在溫度為180℃的情況下通過20分鐘的固相反應合成的，所述步驟（2）中的均聚物PNIPAM是在溫度為70℃的情況下合成的，所述步驟（3）中的兩親性嵌段聚合物PNIPAM-b-PVDHBI也是在70℃的情況下合成的。