[發(fā)明專利]RF功率放大電路和使用該電路的RF功率模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210270190.X
• 申請日: 2010-02-03
• 公開（公告）號: CN102820856A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 長谷昌俊;伊藤雅廣;曾我高志;田中聰
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F3/24;H03F3/68;H03G3/30
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 陳偉;孟祥海

1.一種RF功率放大電路，其特征在于，

具備放大器和控制部，

所述放大器的輸入端子能響應(yīng)于RF發(fā)送輸入信號，能由所述放大器的輸出端子生成RF發(fā)送輸出信號，

所述控制部包含第一控制部和第二控制部，

所述第一控制部能響應(yīng)于供給到第一控制輸入端子的輸出功率控制電壓，并由第一控制輸出端子生成第一輸出電流，

所述第二控制部能響應(yīng)于供給到第二控制輸入端子的所述第一控制部的所述第一輸出電流，并由第二控制輸出端子生成用于確定所述放大器的放大晶體管的無功電流的第二輸出電流，

所述輸出功率控制電壓的最大值設(shè)定為規(guī)定的電壓值，由此，由所述第一控制部的所述第一控制輸出端子生成的所述第一輸出電流的最大值設(shè)定為規(guī)定的電流值，

所述第二控制部包含響應(yīng)于所述第一控制部的所述第一輸出電流生成所述第二輸出電流的多個MOS晶體管，

所述第二控制部的所述多個MOS晶體管響應(yīng)于所述第一控制部的設(shè)定為所述規(guī)定的最大值的所述第一輸出電流，在其亞閾值區(qū)工作。

2.如權(quán)利要求1所述的RF功率放大電路，其特征在于，????

所述放大器為多級放大器的后級放大器，

所述多級放大器包含向所述后級放大器供給RF放大信號的前級放大器，

響應(yīng)于所述輸出功率控制電壓，所述前級放大器的無功電流按照第一連續(xù)函數(shù)連續(xù)變化，所述后級放大器的所述無功電流按照第二連續(xù)函數(shù)連續(xù)變化，

所述第二連續(xù)函數(shù)為比所述第一連續(xù)函數(shù)高一次以上的函數(shù)。

3.如權(quán)利要求2所述的RF功率放大電路，其特征在于，

所述后級放大器的所述放大晶體管的器件尺寸設(shè)定為比所述前級放大器的放大晶體管的器件尺寸大，

4.如權(quán)利要求3所述的RF功率放大電路，其特征在于，

所述第二控制部的所述多個MOS晶體管包含第一MOS晶體管、第二MOS晶體管、第三MOS晶體管、和第四MOS晶體管，

所述第一MOS晶體管的柵極和漏極連接，所述第二MOS晶體管的柵極和漏極連接，

所述第一控制部的所述第一輸出電流能供給到所述第一MOS晶體管的漏極/源極電流路徑和所述第二MOS晶體管的漏極/源極電流路徑的串聯(lián)連接處，

在所述第二MOS晶體管的柵極上連接有能使大致恒定的偏置電流流動的所述第三MOS晶體管的柵極，在所述第三MOS晶體管的柵極上連接有能使所述第二輸出電流流動的所述第四MOS晶體管的柵極，

所述第二輸出電流為與所述第一輸出電流的平方成正比的電流。

5.如權(quán)利要求4所述的RF功率放大電路，其特征在于，

還具備第一偏壓用晶體管和第二偏壓用晶體管，

所述第一偏壓用晶體管與所述前級放大器的所述放大晶體管連接成電流鏡，所述第二偏壓用晶體管與所述后級放大器的所述放大晶體管連接成電流鏡，

用于使所述前級放大器的所述無功電流按照所述第一連續(xù)函數(shù)連續(xù)變化的第一偏置電流供給到所述第一偏壓用晶體管，

用于使所述后級放大器的所述無功電流按照所述第二連續(xù)函數(shù)連續(xù)變化的第二偏置電流供給到所述第二偏壓用晶體管。

6.如權(quán)利要求5所述的RF功率放大電路，其特征在于，

所述控制部由包含CMOS晶體管的單片集成電路構(gòu)成。

7.如權(quán)利要求6所述的RF功率放大電路，其特征在于，

所述前級放大器的所述放大晶體管、所述后級放大器的所述放大晶體管、所述第一偏壓用晶體管、和所述第二偏壓用晶體管由MOS晶體管構(gòu)成。

8.如權(quán)利要求6所述的RF功率放大電路，其特征在于，

所述前級放大器的所述放大晶體管、所述后級放大器的所述放大晶體管、所述第一偏壓用晶體管、和所述第二偏壓用晶體管由雙極晶體管構(gòu)成。

9.如權(quán)利要求7所述的RF功率放大電路，其特征在于，

所述MOS晶體管為LDMOS晶體管。

10.如權(quán)利要求8所述的RF功率放大電路，其特征在于，

所述雙極晶體管為異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。