[發明專利]含Pr的閃爍體用單晶及其制造方法和放射線檢測器以及檢查裝置有效
| 申請號: | 201210270147.3 | 申請日: | 2005-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN102888652A | 公開(公告)日: | 2013-01-23 |
| 發明(設計)人: | 吉川彰;荻野拓;鐮田圭;青木謙治;福田承生 | 申請(專利權)人: | 東北泰克諾亞奇股份有限公司;古河機械金屬株式會社 |
| 主分類號: | C30B29/28 | 分類號: | C30B29/28;C09K11/79;C30B11/04;C09K11/80;C09K11/00;G01T1/20;C09K11/08;G01T1/202;C09K11/78 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔香丹;張永康 |
| 地址: | 日本國宮*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | pr 閃爍 體用 及其 制造 方法 放射線 檢測器 以及 檢查 裝置 | ||
1.一種閃爍體用單晶,其特征在于,其為以(PrxRE1-x)3(Al1-yGay)5O12表示的閃爍體用單晶,
其中,RE為選自Y、Sc、Yb、Lu中的一種或兩種以上;Pr的濃度x的范圍為0.0001≤x﹤0.02;Ga的濃度y的范圍為0≤y≤1。
2.根據權利要求1所述的閃爍體用單晶,其特征在于,所述閃爍體用單晶通過伽馬射線激勵而發出的熒光波長為200-350nm。
3.根據權利要求1或2所述的閃爍體用單晶,其特征在于,
RE為選自Y、Lu中的一種或兩種。
4.根據權利要求1或2所述的閃爍體用單晶,其特征在于,其為以(PrxRE1-x)3Ga5O12表示的柘榴石型氧化物閃爍體用單晶,
其中,RE為選自Y、Sc、Yb、Lu中的一種或兩種以上;Pr的濃度x的范圍為0.0001≤x﹤0.02。
5.一種閃爍體用單晶的制造方法,其特征在于,
在用(PrxRE1-x)3(Al1-yGay)5O12表示的組成的熔液中,添加Pr使Pr量達到引入目標的Pr量的5~15倍,并采用鉬坩鍋或銥坩鍋、或由銥和錸的合金制成的坩鍋,通過微下拉法來生長單晶,
其中,RE為選自Y、Sc、Yb、Lu中的一種或兩種以上;Pr的濃度x的范圍為0.0001≤x﹤0.02;Ga的濃度y的范圍為0≤y≤1。
6.一種放射線檢測器,其特征在于,由放射線檢測部與受光部組合而成,該放射線檢測部具有由權利要求1~4中任一項所述的閃爍體用單晶構成的閃爍體并用于檢測放射線,該受光部接受在該放射線檢測部檢測出放射線的結果而輸出的熒光。
7.一種放射線檢查裝置,其特征在于,具有權利要求6所述的放射線檢測器。
8.根據權利要求7所述的放射線檢查裝置,其特征在于,上述閃爍體用單晶的熒光成份中,至少一種在室溫中的衰減時間為1nsec~300nsec。
9.根據權利要求8所述的放射線檢查裝置,其特征在于,上述放射線檢查裝置為正電子放射性核素斷層成像裝置,是醫用圖像處理裝置用的放射線檢查裝置。
10.根據權利要求9所述的放射線檢查裝置,其特征在于,上述正電子放射性核素斷層成像裝置為二次元型正電子放射性核素斷層成像裝置、三次元型正電子放射性核素斷層成像裝置、飛行時間型正電子放射性核素斷層成像裝置、深度檢測型正電子放射性核素斷層成像裝置、或者是它們的組合型。
11.根據權利要求10所述的放射線檢查裝置,其特征在于,上述醫用圖像處理裝置用的放射線檢查裝置為其自身,或者是構成于核磁共振成像裝置、計算機斷層成像裝置、單光子發射型計算機斷層成像裝置中的任何一種或其組合型。
12.一種非破壞性檢查用的放射線檢查裝置,其特征在于,具有權利要求6所述的放射線檢測器,且為X射線計算機斷層成像裝置、進行放射線透過檢查的X射線攝影裝置的任何一種,或者是它們的組合型。
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