[發明專利]濺射靶及其制法、利用該靶得到的薄膜、薄膜片及層疊片

有效

• 申請號: 201210270076.7
• 申請日: 2012-07-31
• 公開（公告）號: CN102965629A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 櫻井英章;有泉久美子
• 申請（專利權）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08;C04B35/453;C04B35/14
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;王珍仙

1.一種ZnO-SiO₂類濺射靶，其特征在于，

由將氧化鋅ZnO和二氧化硅SiO₂作為主要成分的燒結體構成，所述燒結體的相對密度為95%以上，所述氧化鋅ZnO與所述二氧化硅SiO₂的摩爾比為40：60～95：5。

2.一種ZnO-SiO₂類濺射靶的制造方法，其特征在于，

將一次粒子的平均粒徑為0.1～5.0μm的ZnO粉末和SiO₂粉末混合成所述氧化鋅ZnO與所述二氧化硅SiO₂的摩爾比為40：60～95：5，填加粘合劑并加壓成型，脫模后以1000℃以上進行燒結，從而制造相對密度為95%以上的燒結體。

3.如權利要求2所述的ZnO-SiO₂類濺射靶的制造方法，其中，

作為以去除有機溶劑及水分等為目的的預干燥，以50～150℃進行1～10小時的處理，作為以使粘合劑消失為目的的脫脂處理，以400～600℃進行3～15小時的處理，而且作為提高密度的燒結工序，以1000～1500℃進行3～15小時的處理。

4.一種ZnO-SiO₂類膜的制造方法，其特征在于，

通過利用權利要求1所述的ZnO-SiO₂類濺射靶的濺射法在基板表面形成ZnO-SiO₂類膜。

5.一種ZnO-SiO₂類膜，其特征在于，

通過權利要求4所述的制造方法形成。

6.一種薄膜片，其特征在于，

在第1基材膜上具備權利要求5所述的ZnO-SiO₂類膜，

在溫度20℃、相對濕度50%RH的條件下放置1小時時的水蒸氣透過率為0.3g／m²·天以下。

7.一種層疊片，該層疊片通過粘結層在權利要求6所述的薄膜片的薄膜形成側層疊第2基材膜而成。