[發明專利]一種溝槽結構電荷補償肖特基半導體裝置及其制造方法在審
| 申請號： | 201210269963.2 | 申請日： | 2012-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN103579373A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發明（設計）人： | 朱江 | 申請（專利權）人： | 朱江 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
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| 地址： | 113200 遼寧省*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 溝槽 結構 電荷 補償 肖特基 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種溝槽結構電荷補償肖特基半導體裝置，其特征在于：包括：
襯底層，為半導體材料構成；
漂移層，為第一導電半導體材料構成，位于襯底層之上；多個
溝槽結構，溝槽位于漂移層中，漂移層中臨靠溝槽內壁區域設置有第二導電半導體材料，溝槽內壁表面設置有絕緣材料，溝槽內填充半導體材料；
肖特基勢壘結，位于漂移層第一導電半導體材料上表面。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的襯底層為高濃度雜質摻雜的半導體材料。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽內壁表面的絕緣材料可以為二氧化硅。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽內填充半導體材料為第二導電多晶半導體材料。
5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的第二導電半導體材料與溝槽內填充半導體材料通過溝槽內壁表面絕緣材料進行隔離。
6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的第二導電半導體材料、溝槽內填充的半導體材料與漂移層第一導電半導體材料可以形成電荷補償結構。
7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽內填充的半導體材料位于溝槽內下部，溝槽內上部可以填充電極金屬或高濃度雜質摻雜的多晶半導體材料。
8.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的肖特基勢壘結為勢壘金屬與第一導電半導體材料形成的勢壘結。
9.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的臨靠溝槽側壁第二導電半導體材料表面也可以形成肖特基勢壘結。
10.如權利要求1所述的一種溝槽結構電荷補償肖特基半導體裝置的制造方法，其特征在于：包括如下步驟：
1）在襯底層表面形成第一導電半導體材料層，然后表面形成絕緣材料層；
2）進行光刻腐蝕工藝去除表面部分絕緣材料層，然后刻蝕去除部分裸露半導體材料形成溝槽；
3）在溝槽內進行第二導電雜質擴散；
4）在溝槽內壁表面形成絕緣材料，淀積多晶半導體材料，反刻蝕多晶半導體材料，去除表面絕緣材料；
5）淀積勢壘金屬，進行燒結形成肖特基勢壘結。
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