[發(fā)明專利]電容式傳感器及其制造方法和操作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210269364.0
• 申請日: 2012-07-31
• 公開（公告）號: CN102956810A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設計）人: 金載興
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L41/083
• 分類號: H01L41/083;H01L41/27
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種傳感器，包括：

第一摻雜區(qū)；

第二摻雜區(qū)，具有與所述第一摻雜區(qū)相反的導電性并包括第一振動部分；以及

空置空間，設置在所述第一摻雜區(qū)與所述第一振動部分之間，

其中所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)是整體的。

2.根據(jù)權利要求1所述的傳感器，其中所述第一振動部分包括多個通孔，并且用于密封所述多個通孔的材料膜形成在所述第一振動部分上。

3.根據(jù)權利要求1所述的傳感器，其中振動器設置在所述空置空間中以被連接到所述第一振動部分并且與所述第一摻雜區(qū)平行。

4.根據(jù)權利要求3所述的傳感器，其中所述第二摻雜區(qū)的第二振動部分設置在位于所述振動器與所述第一振動部分之間的所述空置空間中以被連接到所述第一振動部分和所述振動器。

5.根據(jù)權利要求4所述的傳感器，其中所述第二振動部分包括多個通孔。

6.根據(jù)權利要求5所述的傳感器，其中用于密封所述多個通孔的材料膜形成在所述第一振動部分上。

7.根據(jù)權利要求1所述的傳感器，其中所述第一摻雜區(qū)被摻雜有n型材料或p型材料。

8.根據(jù)權利要求2所述的傳感器，其中所述材料膜是硅氧化物膜、硅氮化物膜和聚合物膜中的任意一種。

9.一種制造傳感器的方法，所述方法包括：

形成單晶硅層，所述單晶硅層是單層硅層并且包括彼此相反地摻雜的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)；以及

在所述第一摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)之間的有限區(qū)域中形成空置空間。

10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中形成所述單晶硅層包括：

形成摻雜有第一摻雜劑的第一單晶硅層；以及

通過將所述第一單晶硅層的一部分摻雜第二摻雜劑而形成所述第二摻雜區(qū)。

11.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中形成所述空置空間還包括：

在所述第二摻雜區(qū)下方的所述第一摻雜區(qū)中形成氧化區(qū)；以及

移除所述氧化區(qū)的氧化材料。

12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中移除所述氧化區(qū)的氧化材料還包括：

在所述氧化區(qū)上的所述第二摻雜區(qū)中形成通孔，通過所述通孔暴露所述氧化區(qū)；以及

通過所述通孔移除所述氧化材料。

13.根據(jù)權利要求12所述的方法，還包括：在所述第二摻雜區(qū)上形成用于密封所述通孔的材料膜。

14.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中形成所述單晶硅層包括：

形成摻雜有第一摻雜劑的第一單晶硅層；

在所述第一單晶硅層的頂表面下方形成氧化區(qū)；以及

在所述第一單晶硅層上生長摻雜有第二摻雜劑的第二單晶硅層。

15.根據(jù)權利要求14所述的方法，還包括：朝所述第二單晶硅層延伸所述氧化區(qū)的一部分。

16.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中形成所述空置空間包括：從所述第一單晶硅層和所述第二單晶硅層的氧化區(qū)移除氧化材料。

17.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中朝所述第二單晶硅層延伸所述氧化區(qū)的所述部分包括：

形成第一氧化區(qū)，所述第一氧化區(qū)連接到所述氧化區(qū)并且在垂直于所述氧化區(qū)的方向上延伸到所述第二單晶硅層中；以及

形成第二氧化區(qū)，所述第二氧化區(qū)連接到所述第一氧化區(qū)并且在平行于所述第二單晶硅層中的所述氧化區(qū)的方向上延伸。

18.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中從所述第一單晶硅層和所述第二單晶硅層的所述氧化區(qū)移除所述氧化材料還包括：

在所述第二單晶硅層上形成通孔，通過所述通孔暴露朝所述第二單晶硅層延伸的所述氧化區(qū)；以及

通過所述通孔移除所述第一單晶硅層和所述第二單晶硅層的所述氧化區(qū)的氧化材料。

19.根據(jù)權利要求18所述的方法，在移除所述氧化材料之后，所述方法還包括：在所述第二單晶硅層上形成用于密封所述通孔的材料膜。