[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210269176.8
• 申請日: 2012-07-30
• 公開（公告）號: CN103035701A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 今田忠纮
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;董文國

1.一種半導體器件，包括：

半導體層；

與所述半導體層的表面接觸的第一導電層；

形成在所述第一導電層上的絕緣膜；以及

形成在所述第一導電層上方的第二導電層，所述絕緣膜介于所述第一導電層和所述第二導電層之間。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體層包括作為所述半導體層的頂層的半導體蓋層，所述半導體蓋層的極性與所述半導體層的其余部分的極性相反。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一導電層形成在所述半導體蓋層上。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中所述第一導電層包括Ti、Ni或Pd或者它們的任意組合作為材料。

5.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其中所述第一導電層包括Ta或Al或者它們的任意組合作為材料。

6.根據權利要求1或2所述的半導體器件，還包括源電極和漏電極，

其中所述第二導電層電連接至所述漏電極。

7.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

形成半導體層；

形成與所述半導體層的表面接觸的第一導電層；

在所述第一導電層上形成絕緣膜；以及

在所述絕緣膜上的區域中形成第二導電層，所述區域位于所述第一導電層上方并且與所述第一導電層垂直地對準。

8.根據權利要求7所述的制造半導體器件的方法，其中所述半導體層包括作為所述半導體層的頂層的半導體蓋層，所述半導體蓋層的極性與所述半導體層的其余部分的極性相反。

9.根據權利要求8所述的制造半導體器件的方法，其中在形成所述第一導電層中，將所述半導體蓋層成形為與所述第一導電層相同的幾何形狀。

10.根據權利要求8或9所述的制造半導體器件的方法，其中在形成所述第二導電層中，將所述第一導電層與漏電極整體地形成。