[發明專利]防止PMOS器件工藝中柵極多晶硅耗盡的方法

有效

• 申請號: 201210269123.6
• 申請日: 2012-07-30
• 公開（公告）號: CN103578998A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 陳瑜;羅嘯;馬斌
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/283
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種防止PMOS器件工藝中柵極多晶硅耗盡的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在硅襯底上進行多晶硅淀積，所述多晶硅淀積分成連續兩段，第一段多晶硅淀積用于形成柵極多晶硅的底層部分，所述底層部分的厚度為所述柵極多晶硅的厚度的2/3以上；第二段多晶硅淀積用于形成柵極多晶硅的頂層部分，由所述頂層部分和所述底層部分一起組成所述柵極多晶硅，所述第二段多晶硅淀積的工藝氣體在所述第一段多晶硅淀積的工藝氣體的基礎上增加了氧氣，利用氧氣的通入，使所述柵極多晶硅的頂層部分形成的同時被部分氧化，并在所述柵極多晶硅的頂層部分中形成一氧化硅阻擋層；

步驟二、形成所述柵極多晶硅之后，在所述柵極多晶硅中注入硼離子，使所述柵極多晶硅呈P型摻雜結構；

步驟三、在所述柵極多晶硅的表面形成鎢硅層，所述鎢硅層和所述柵極多晶硅電學連接并組成所述PMOS器件的柵極，所述氧化硅阻擋層阻擋所述柵極多晶硅中的硼穿透到所述鎢硅層中。

2.如權利要求1所述的防止PMOS器件工藝中柵極多晶硅耗盡的方法，其特征在于：步驟一中所述第二段多晶硅淀積中的氧氣占所述第二段多晶硅淀積的工藝氣體的總量的2%～4%；所述氧化硅阻擋層的厚度為40埃～80埃。

3.如權利要求1所述的防止PMOS器件工藝中柵極多晶硅耗盡的方法，其特征在于：步驟二中的注入硼離子的能量為3KeV～8Kev，注入劑量為1E15cm^-2～1E16cm^-2。